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集邦:全球DRAM产业第三季营收涨幅达40.7%

2009年11月13日 09:04 次阅读

集邦:全球DRAM产业第三季营收涨幅达40.7%

根据集邦科技(DRAMeXchange)调查,今年第三季,DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下,需求量激增,DDR3合约价在第三季大涨36%,现货价也在合约价的带动下上涨24%。

DDR2 方面,由于DDR3合约价格大涨,亦带动DDR2合约价格的涨势,且在第三季国际DRAM大厂转进DDR3相当积极,导致DDR2出货量减少效应持续发 酵,部份PC OEM厂商亦已逆向操作增加DDR2的库存水位,使得本季DDR2合约价涨幅高达31%、现货价格涨幅亦高达30%,涨幅与DDR3不惶多让。

第三季各DRAM厂商营收在DDR3合约价上涨36%、现货价上涨24%以及DDR2价格上涨30%下,皆较第二季成长,成长幅度约在15至55%之间。其中,三星(Samsung)以及力晶(Powerchip),第三季营收成长皆达50%以上,远优于市场平均。

根 据集邦科技统计,2009年第三季全球DRAM产业营收为57亿1,900万美元,与今年第二季相比,上涨了40.7%。其中韩系厂商三星在DRAM合约 价上涨、制程持续转进50nm使季位成长约10%以及提高DDR3的生产比例下,其第三季DRAM营收涨幅高达51%,为17亿8,100万美元,市占 率上升2.1%~31.1%,稳占DRAM产业龙头宝座。

韩系厂商海力士(Hynix)第三季DRAM营收在季均价上涨26%以及季位成长12%的影响下,营收上涨42.1%,为13亿1,800万美元,市占率上升0.2%~23%,位居DRAM产业营收第二名。

尔必达(Elpida)第三季营收涨幅37.6%,为10亿2,500万美元,主要受益于DRAM季均价上涨19%以及位成长13%,尔必达从今年第二季拉开与美光的距离后,已稳居DRAM产业营收第三名的宝座。

美光(Micron)财报结算日期在9月初,其季营收是以6、7、8三个月结算,因此合约均价与上季 (3、4、5月)相较,仅上涨8%。美光在本季DRAM产品销售成长19%,在价格与销售量皆成长下,营收成长28%,为7.05亿美元,因营收成长低于 市场平均,市占率由第二季的13.5%跌至12.3%,为第四名。

台系厂商方面,南亚第三季公告DRAM营收约为3亿 3,400万美元,位居第五名。其第三季营收成长45.3%,主要原因为南亚季均价涨幅高达35%以及本季销货量成长5%所致。力晶第三季营收成长高达 52.9%,为1亿9,300万美元,主要受益于第三季DDR2现货价大涨30%以及产能利用率从第二季的41%拉升至82%,因此本季市占率微幅成长 0.3%。

华邦第三季公告之DRAM营收为1亿4,600万美元,较上季成长43.7%,市占率小幅成长至2.6%。茂德(ProMOS)亦受惠于价格上涨,其季营收成长率为15.3%。

今年第三季,DRAM产业各国的市占率,其中韩国厂商市占率在第三季又再往上提升,已达整体市占的55.1%,稳居DRAM产业的盟主。台系、日系及美系厂商市占率在韩系厂商市占提升下,各有小幅的衰退。

其中台系厂商市占率仅小幅衰退0.1%,市占率为14.2%;日系厂商衰退0.6%,市占率为18.2%;而美系厂商则因营收成长低于市场平均,在本季市占率衰退1.4%,来到12.5%。


备 注:三星的第三季营收计算是以法说会所公开的内存营收(3.8Trillion KRW),并按照DRAM营收占内存比重58%做计算及第三季平均汇率( 1美元兑换1237.5韩元 ) 所计算出来。以此类推,海力士则是整体营收的77%作为DRAM营收数字的基准点,美光是以整体营收的54%作为DRAM营收数字,力晶的85%、茂德的 80%、南科的95%及华邦的84%作为DRAM营收的数字( 1美元兑换32.8台币),尔必达则是以1 美元兑换93.5日币。

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存储器之战,中国必胜!

紫光国芯毛利率下降,第四代DRAM存储器和FPG...

针对此次投资机构调研,紫光国芯副总裁杜林虎及董秘阮丽颖在互动问答时称,紫光国芯FPGA产品目前处于研...

发表于 2017-11-22 14:47 435次阅读
紫光国芯毛利率下降,第四代DRAM存储器和FPG...

内存涨价保值率不输黄金,三星成背后赢家今年飙升5...

此外,不同容量,不同型号,不同品牌、不同接口的SSD固态硬盘都在跟风上涨。在2015年至2016年上...

发表于 2017-11-21 17:04 310次阅读
内存涨价保值率不输黄金,三星成背后赢家今年飙升5...

死磕Intel傲腾,三星发布基于SLC颗粒的SZ...

TheReg拿到了SZ985的相关参数,并与Optane P4800X进行了对比,发现除了延迟略高点...

发表于 2017-11-20 15:24 242次阅读
死磕Intel傲腾,三星发布基于SLC颗粒的SZ...

存储市场形势突变,兆易创新押注36亿元抢占市场份...

事实上,兆易创新谋求进军DRAM产业的野心早已有之。记者注意到,早在今年4月,兆易创新曾准备增发约3...

发表于 2017-11-20 14:49 322次阅读
存储市场形势突变,兆易创新押注36亿元抢占市场份...

内存疯狂涨价背后的原因,扩产后涨势继续

 我们看过很多关于存储器价格暴涨的新闻,三家DRAM供应商也都曾明确表示自己的态度。三星表示2018...

发表于 2017-11-20 09:33 399次阅读
内存疯狂涨价背后的原因,扩产后涨势继续

基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理的设计与...

为了解决视频图形显示系统中多个端口访问DDR3的数据存储冲突,设计并实现了基于FPGA的DDR3存储...

发表于 2017-11-18 18:51 381次阅读
基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理的设计与...

利用DDR控制器读取重排序缓冲器,将DRAM带宽...

DDR 控制器部产品营销总监 概述 DDR DRAM内存控制器要满足众多市场竞争的需求。一款出色的内...

发表于 2017-11-18 18:23 230次阅读
利用DDR控制器读取重排序缓冲器,将DRAM带宽...

基于FPGA的图形生成与视频处理系统的设计与实现

本文对基于FPGA的机载视频图形显示系统架构进行设计和优化。从实时性、BRAM资源占用和DDR3吞吐...

发表于 2017-11-18 03:42 106次阅读
基于FPGA的图形生成与视频处理系统的设计与实现

在NI FlexRIO中使用DRAM

许多高性能仪器使用动态随机存取存储器(DRAM)作为本地存储器,DRAM是一种高密度、高带宽的存储器...

发表于 2017-11-17 17:28 160次阅读
在NI FlexRIO中使用DRAM

基于FPGA的DDR3用户接口设计技术详解

本文详细介绍了在Xilinx Virtex-6系列FPGA中使用MIG3.7 IP核实现高速率DDR...

发表于 2017-11-17 14:26 491次阅读
基于FPGA的DDR3用户接口设计技术详解

基于FPGA的DDR3 SDRAM控制器用户接口...

为了满足高速图像数据采集系统中对高带宽和大容量的要求,利用Virtex-7 系列FPGA 外接DDR...

发表于 2017-11-17 14:14 237次阅读
基于FPGA的DDR3 SDRAM控制器用户接口...

SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR...

DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):为双信道三次同步动...

发表于 2017-11-17 13:15 191次阅读
SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR...

三星2017年半导体行业巨额开支,欲打击中国存储...

IC Insights认为,三星半导体的资本开支预计将会扼杀中国储存器厂商的发展,因为一定程度上,他...

发表于 2017-11-17 11:24 333次阅读
三星2017年半导体行业巨额开支,欲打击中国存储...

受内存需求,第三季度三星季增28.4%,SK海力...

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,在北美数据中心的需求持续强劲,以及D...

发表于 2017-11-17 11:07 146次阅读
受内存需求,第三季度三星季增28.4%,SK海力...

存储器竞技场,DRAM、NAND量产大PK

中国半导体发展风起云涌,购并、建厂消息不断,在市场、国安等考量下,存储器更是中国重点发展项目,成为多...

发表于 2017-11-16 10:49 237次阅读
存储器竞技场,DRAM、NAND量产大PK

四种存储器的优缺点及应用

RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入,...

发表于 2017-11-15 13:44 190次阅读
四种存储器的优缺点及应用

DRAM开启杀戮战,存储厂商调涨DRAM合约价

调研机构研究报告显示,三星、SK海力士及福建晋华、合肥睿力等公司的增产计划,都为未来DRAM市场投下...

发表于 2017-11-15 11:06 156次阅读
DRAM开启杀戮战,存储厂商调涨DRAM合约价

DRAM产业屡创新高,扩产计划指日可待

观察各厂技术与产能布局,三星今年的目标除了专注于18nm制程的持续转进外,近几季DRAM同业的高获利...

发表于 2017-11-14 14:00 112次阅读
DRAM产业屡创新高,扩产计划指日可待

虚拟化环境是否会对闪存造成耗损

关于VMware和微软闪存工作的方式有一些问题需要讨论。闪存被认为是大有前途的技术,很多人认为他们可...

发表于 2017-11-09 16:26 232次阅读
虚拟化环境是否会对闪存造成耗损

ddr4和ddr3内存的区别,可以通用吗

虽然新一代电脑/智能手机用上了DDR4内存,但以往的产品大多还是用的DDR3内存,因此DDR3依旧是...

发表于 2017-11-08 15:42 977次阅读
ddr4和ddr3内存的区别,可以通用吗

ddr3菊花链拓扑结构是什么

 在DDR的PCB设计中,一般需要考虑等长和拓扑结构。等长比较好处理,给出一定的等长精度通常是PCB...

发表于 2017-11-08 13:00 464次阅读
ddr3菊花链拓扑结构是什么

可穿戴设备组件典型电流消耗对比

聚焦于关注零售行业内半导体存储器发展趋势!我们将在本文中介绍最后一项相关技术,这项技术已在多家商店中...

发表于 2017-11-08 10:00 4090次阅读
可穿戴设备组件典型电流消耗对比

昂达瞄准内存市场,DDR3面向低端,面向AMD

这段时间,DDR4内存条价格持续处于高位,于是不少厂商和需求不高的用户开始将目光转向老一代的DDR3...

发表于 2017-11-07 13:21 721次阅读
昂达瞄准内存市场,DDR3面向低端,面向AMD

MICRON镁光 DDR3 DDR4

发表于 2017-10-09 10:32 163次阅读
MICRON镁光 DDR3 DDR4

DDR3 288PIN内存条插槽连接器 台式电脑第三代内存条卡槽插座

发表于 2017-09-29 14:45 211次阅读
DDR3 288PIN内存条插槽连接器 台式电脑第三代内存条卡槽插座

英特尔存储器:热数据推“傲腾”,温数据有“Ruler”

发表于 2017-09-15 17:08 515次阅读
英特尔存储器:热数据推“傲腾”,温数据有“Ruler”