CMT-TIT0697栅极驱动器板被设计为可直接安装在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模块上。凭借可提供每通道高达2.5W功率的板载隔离电源（且无需降低高达125°C的额定环境温度），该栅极驱动器可以驱动频率高达100KHz的XM3模块，从而实现高功率密度。
2020-01-15 08:09:00
1117 PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
和图4所示。图3所示，该原理图显示了使用双极性栅极驱动器电源时如何实现SiC MOSFET的栅极驱动。如上所述，这种双极性栅极驱动电压不是强制性的，但它有助于最小化米勒效应，并产生更好的可控开关。因此
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
领域的创新步伐不断加快，工程师们越来越多地在寻找新的解决方案，并对技术提出更多的要求，以满足消费者和行业的需求。碳化硅半导体是满足这些需求的优选答案，其本身也在不断改进，以期提供与旧技术相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
通碳化硅（SiC）陶瓷基板完全符合新能源汽车要求。碳化硅（SiC）陶基板小型化的特点可大幅削减新能源汽车的电力损失，使其在各种恶劣的环境下仍能正常工作。碳化硅基板除了在新能源汽车节能中占有重要地位外，在
2021-01-12 11:48:45
精细化，集成化方向发展。 在新技术驱动下，汽车电子行业迎来新一轮技术革命，行业整体升级。在汽车大量电子化的带动之下，车用电路板也会向上成长。车用电路板稳定订单和高毛利率的特点吸引诸多碳化硅基板从业者
2020-12-16 11:31:13
在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
。 正向导通压降VF：衡量二极管正向导通性能最重要的参数，对工程师而言，需要更关注VF与Tj的依赖性关系。这里以基本半导体650V 10A TO-220封装碳化硅肖特基二极管为例进行说明。 图（5
2023-02-28 16:55:45
特性比较 1、碳化硅肖特基二极管器件结构和特征 用碳化硅肖特基二极管替换快速PN 结的快速恢复二极管（FRD），能够明显减少恢复损耗，有利于开关电源的高频化，减小电感、变压器等被动元件的体积，使
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法解析:在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注
2022-03-24 18:03:24
。 04 结 论 引入了辅助源极管脚成为TO-247-4封装的碳化硅MOSFET，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦。同时，TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET，验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
抗短路能力。而栅极关断电压值只需要确保器件能够安全地关断。英飞凌建议设计人员将MOSFET分立器件的关断电压定为0V，从而实现栅极驱动电路的简化。 为此，本文将介绍一种易于重现的方法来表征碳化硅
2023-02-27 13:53:56
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
。虽然碳化硅组件可望成为推动电力设备由机械转向电子结构的重要推手，但现阶段碳化硅组件最主要的应用市场，其实是电动汽车。电动汽车应用之所以对碳化硅组件的需求如此殷切，主要原因在于可实现更轻巧的电源系统
2021-09-23 15:02:11
电路的管理。管理门控时序是一项严峻的挑战。一种方法是平衡SiC器件的速度，以确保将损耗保持在最低水平，这可以通过精确的栅极驱动器设计来实现。基于SiC的开关器件的主要优势之一是在恶劣环境(600℃) 中运行
2022-06-13 11:27:24
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
采用双脉冲测试方法对图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件和纯硅 IGBT进行对比测试，以评估续流二极管（硅快恢复二极管或碳化硅肖特基二极管）对主开关管损耗的影响，并同时检测续流二极管的恢复行为。 图
2023-02-28 16:48:24
通时由电容驱动的栅极 - 源极电压，其源于半桥配置中第二个碳化硅MOSFET的高dv/dt开关。 硅MOSFET设计中在此类问题一般可以通过栅极驱动器和硅MOSFET栅极之间插入一个高阻值电阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫欧4脚TO247封装碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器，如图所示。由于碳化硅的高阻断电压, 快速开关及低损耗等
2016-08-05 14:32:43
EVK-TIT9036A，EVK-THEMIS-ATLAS评估板演示了使用CHT-THEMIS和CHT-ATLAS器件的功率门驱动器电路的功能。该电路板的栅极电流输出能力高达4A，可通过2个
2019-05-13 09:37:52
家族中的新成员。 相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35
碳化硅 （SiC） MOSFET 成为 MOSFET 市场的可见部分，需要能够提供负电压的特殊栅极驱动器碳化硅 （SiC） MOSFET 成为 MOSFET 市场的可见部分，需要特殊的栅极驱动器
2023-02-27 09:52:17
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
功率半导体技术的不断改进使功率转换器更加高效和紧凑。碳化硅 CoolSiC™ MOSFET因其卓越的效率，尤其是在部分负载下而被视为电驱动应用的新趋势。甚至可以实现无风扇设计，从而实现集成度更高
2023-02-22 16:42:00
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
电子的发展趋势，但瓷片电容、传感器、栅极驱动等还无法完全匹配碳化硅的高温高频性能、散热和电磁兼容问题；开发高温电容、功率芯片片内集成传感器、研究 SiC CMOS 驱动芯片或者采用 SOI
2023-02-22 16:06:08
有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
管子开关影响。 2）低传输延迟 通常情况下，硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz，应用频率的提高使得碳化硅MOSFET要求驱动器提供更低的信号
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
输入电压：1000V,输出12V/2A
要把此电源做成反激电源，用碳化硅MOS来驱动的话，请问去驱动IC用哪个？要怎么处理？有专门的IC吗？
2023-07-31 17:36:47
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布作为公司强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场战略的一项举措，Littelfuse对碳化硅技术研发领域的初创公司Monolith
2015-12-22 11:04:2210718 Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅（SiC）驱动器参考设计解决方案，其基础为美高森美的一系列碳化硅MOSFET产品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。
2017-06-20 14:33:221270 该产品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能，在电源转换系统中实现超快切换 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith
2018-03-18 09:19:003708 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse， Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅（SiC） n通道增强型
2018-03-19 09:55:275947 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品
2018-10-23 11:34:375600 支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02:414694 。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。 CISSOID公司推出了一款新型栅极驱动器板，该板针对额定温度为125°C（环境温度）的62mm碳化硅MOSFET功率模块进行了优化。
2019-05-16 09:10:563764 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。该新型栅极驱动器板旨在为高功率密度转换器
2020-01-14 15:00:102120 紧凑的印制电路板（PCB）设计。这些栅极驱动器所取得的新进展可以帮助电源转换器设计人员满足甚至超越日益提高的能效标准及尺寸限制，同时支持使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和快速Si FET等新兴技术。 Silicon Labs 的Si825xx系列产品为强健的栅极驱动器，
2020-12-29 10:32:381991 ，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运行并满足严格的运输要求。 对于基于碳化硅的电源转换设备的设计人 员
2021-10-09 16:17:461644 意法半导体的 STGAP2SiCSN 是为控制碳化硅 MOSFET而优化的单通道栅极驱动器，采用节省空间的窄体 SO-8 封装，具有稳健的性能和精确的 PWM 控制。 SiC 功率技术被广泛用于提高
2021-10-22 10:06:392484 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-17 10:06:141783 Agarwal 的播客中，我们将发现 SiC 的好处和应用。 讨论的文章： 改进碳化硅晶圆工艺 碳化硅功率模块建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的栅极漏电流行为研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 功率半导体是实现节能世界的关键。碳化硅和氮化镓等新技术可实现更高的功率效率、更小的外形尺寸和更轻的重量。尤其是碳化硅是一种宽带隙材料，能够克服传统硅基功率器件的限制。
2022-08-04 17:30:09414 来源：中国电子报 日前，国际碳化硅大厂安森美宣布，其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成，未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25872 基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三合一电驱动总成的冷却系统设计方案。为了进一步
2022-12-21 14:02:33836 摘 要 基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三合一电驱动总成的冷却系统设计方案
2022-12-21 14:05:031414 碳化硅具备耐高温、耐高压、高频率、高效率等特性，发展势头迅猛。基于碳化硅特性，碳化硅驱动器相较于硅器件驱动器有其特殊要求，面临不同的设计挑战。青铜剑技术针对碳化硅的应用特点，推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驱动器，可满足多样化需求。
2022-12-29 11:34:26964 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021979 碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 比邻驱动(Nextdrive)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。
2023-07-21 16:18:243392 
电子发烧友网站提供《GD316x故障管理、诊断、中断和优先级表 先进IGBT和碳化硅栅极驱动器.pdf》资料免费下载
2023-08-17 14:22:08
5 报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
电子发烧友App
工商网监
评论