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如何进行无线充电器的电路设计?

无线充电技术利用磁共振在充电器与设备之间的电场和磁场中传输电能,线圈和电容器则在充电器与设备之间形成共振。

分享:

设计无线充电器电路需要系统性地规划功率转换、高频振荡、磁谐振耦合等关键模块。以下是详细的电路设计步骤和关键技术要点,以电磁感应式(Qi标准)为例:


一、基础架构设计

1. 发射端(Tx)电路

graph LR
A[输入电源] --> B[整流滤波]
B --> C[DC/DC降压]
C --> D[全桥/半桥逆变]
D --> E[LC谐振发射线圈]
E --> F[控制与检测电路]

2. 接收端(Rx)电路

graph LR
G[接收线圈] --> H[谐振电容]
H --> I[整流桥]
I --> J[同步整流/LDO稳压]
J --> K[负载设备]

二、关键模块设计细节

1. 发射端核心电路

  • 逆变拓扑选择

    • 半桥逆变(低成本方案)
      circuit
      VDC+ -- Q1(MOSFET) -- L1 -- C1 -- GND
      VDC+ -- C2 -- Q2(MOSFET) -- GND
      L1与C1串联谐振
    • 全桥逆变(高效率方案):4个MOSFET组成H桥驱动LC谐振
  • 谐振参数计算

    • 谐振频率:符合Qi标准(110-205kHz)
      f_r = \frac{1}{2\pi \sqrt{L_p C_p}}
    • 典型值:线圈电感10-30μH,匹配电容100-200nF(需实测调整)

2. 控制与通信

  • 主控芯片方案
    • 推荐型号:ST STWBC(发射) + STWLC(接收)
    • 功能集成:PWM调制、FSK/BPSK通信、异物检测(FOD)
  • 通信机制
    • Rx通过负载调制向Tx发送数据包(包结构见Qi v1.3)
    • Tx监测电流/电压相位差实现异物检测

3. 接收端电路

  • 高效整流方案
    • 低压降同步整流:MOSFET替换二极管 (如TI BQ51013方案)
      circuit
      AC+ -- Q3(MOS) -- VOUT
      AC- -- Q4(MOS) -- VOUT
      Q3/Q4由整流控制器驱动
  • 稳压输出
    • 两级稳压:DC/DC降压 + LDO (输出纹波<50mV)
    • 过压保护:瞬态电压抑制二极管(TVS)

三、线圈设计要点

  1. 线圈结构
    • 多股利兹线绕制(减少趋肤效应)
    • 层间加隔磁片(提升耦合系数至0.7+)
  2. 参数优化
    • 线径计算:电流密度≤5A/mm²
    • 典型参数示例: 功率等级 电感(μH) 线径(mm) 匝数
      5W 15±2 0.3×20股 16
      15W 24±3 0.4×40股 20

四、安全与认证要求

  1. 强制保护功能
    • FOD(异物检测):功率损耗法 + 温度传感器
    • 过温保护:NTC热敏电阻反馈至控制器
  2. EMC设计
    • 输入EMI滤波器:共模电感 + X电容
    • PCB铺地技巧:线圈下方开槽减少涡流损耗
  3. 认证测试项目
    • 传导辐射(EN55032)
    • 热成像测试(表面温升≤15℃)

五、调试步骤示例

  1. 谐振点校准
    • 网络分析仪扫频观察S21参数
    • 调整Cp使相位曲线过零点在目标频率
  2. 动态负载测试
    • 0.5A→2A阶跃负载下观察输出电压波动(要求恢复时间<100ms)
  3. 通信可靠性验证
    • 示波器捕捉通信包解码(误码率<10⁻⁶)

六、推荐开发资源

  1. 参考设计
    • TI 15W参考设计(PMP40766)
    • NXP Qi 30W方案(TEA1901)
  2. 仿真工具
    • ANSYS Maxwell(电磁场仿真)
    • LTspice(环路稳定性分析)

关键提醒:量产前必须通过Qi认证实验室测试(如UL、WPC授权实验室),认证周期约8-12周。高频功率电路布局需遵循"一字型"走线规则,避免地回路干扰。

此设计框架覆盖15W以内主流方案,如开发更高功率等级(如EPP 30W),需关注GaN器件应用及液冷散热设计。实际开发建议从成熟EVT套件入手(如IDT P9038开发板)。

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