设计无线充电器电路需要系统性地规划功率转换、高频振荡、磁谐振耦合等关键模块。以下是详细的电路设计步骤和关键技术要点,以电磁感应式(Qi标准)为例:
一、基础架构设计
1. 发射端(Tx)电路
graph LR
A[输入电源] --> B[整流滤波]
B --> C[DC/DC降压]
C --> D[全桥/半桥逆变]
D --> E[LC谐振发射线圈]
E --> F[控制与检测电路]
2. 接收端(Rx)电路
graph LR
G[接收线圈] --> H[谐振电容]
H --> I[整流桥]
I --> J[同步整流/LDO稳压]
J --> K[负载设备]
二、关键模块设计细节
1. 发射端核心电路
-
逆变拓扑选择
- 半桥逆变(低成本方案)
circuit VDC+ -- Q1(MOSFET) -- L1 -- C1 -- GND VDC+ -- C2 -- Q2(MOSFET) -- GND L1与C1串联谐振 - 全桥逆变(高效率方案):4个MOSFET组成H桥驱动LC谐振
- 半桥逆变(低成本方案)
-
谐振参数计算
- 谐振频率:符合Qi标准(110-205kHz)
f_r = \frac{1}{2\pi \sqrt{L_p C_p}} - 典型值:线圈电感10-30μH,匹配电容100-200nF(需实测调整)
- 谐振频率:符合Qi标准(110-205kHz)
2. 控制与通信
- 主控芯片方案
- 推荐型号:ST STWBC(发射) + STWLC(接收)
- 功能集成:PWM调制、FSK/BPSK通信、异物检测(FOD)
- 通信机制
- Rx通过负载调制向Tx发送数据包(包结构见Qi v1.3)
- Tx监测电流/电压相位差实现异物检测
3. 接收端电路
- 高效整流方案
- 低压降同步整流:MOSFET替换二极管 (如TI BQ51013方案)
circuit AC+ -- Q3(MOS) -- VOUT AC- -- Q4(MOS) -- VOUT Q3/Q4由整流控制器驱动
- 低压降同步整流:MOSFET替换二极管 (如TI BQ51013方案)
- 稳压输出
- 两级稳压:DC/DC降压 + LDO (输出纹波<50mV)
- 过压保护:瞬态电压抑制二极管(TVS)
三、线圈设计要点
- 线圈结构
- 多股利兹线绕制(减少趋肤效应)
- 层间加隔磁片(提升耦合系数至0.7+)
- 参数优化
- 线径计算:电流密度≤5A/mm²
-
典型参数示例: 功率等级 电感(μH) 线径(mm) 匝数 5W 15±2 0.3×20股 16 15W 24±3 0.4×40股 20
四、安全与认证要求
- 强制保护功能
- FOD(异物检测):功率损耗法 + 温度传感器
- 过温保护:NTC热敏电阻反馈至控制器
- EMC设计
- 输入EMI滤波器:共模电感 + X电容
- PCB铺地技巧:线圈下方开槽减少涡流损耗
- 认证测试项目
- 传导辐射(EN55032)
- 热成像测试(表面温升≤15℃)
五、调试步骤示例
- 谐振点校准
- 网络分析仪扫频观察S21参数
- 调整Cp使相位曲线过零点在目标频率
- 动态负载测试
- 0.5A→2A阶跃负载下观察输出电压波动(要求恢复时间<100ms)
- 通信可靠性验证
- 示波器捕捉通信包解码(误码率<10⁻⁶)
六、推荐开发资源
- 参考设计
- TI 15W参考设计(PMP40766)
- NXP Qi 30W方案(TEA1901)
- 仿真工具
- ANSYS Maxwell(电磁场仿真)
- LTspice(环路稳定性分析)
关键提醒:量产前必须通过Qi认证实验室测试(如UL、WPC授权实验室),认证周期约8-12周。高频功率电路布局需遵循"一字型"走线规则,避免地回路干扰。
此设计框架覆盖15W以内主流方案,如开发更高功率等级(如EPP 30W),需关注GaN器件应用及液冷散热设计。实际开发建议从成熟EVT套件入手(如IDT P9038开发板)。
什么是无线充电器_无线充电器用完需要拔吗
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YOYOOO
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sumzia
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杨小小ing
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sfafa
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