HAL_FLASHEx_Erase - 电子发烧友网

HAL_FLASHEx_Erase 是 STM32 微控制器 HAL 库 (硬件抽象层库) 中的一个函数，专门用于执行 闪存 (FLASH) 的擦除操作。

中文解释

作用： 该函数用于擦除 STM32 内部 FLASH 存储器的指定扇区(Sector)或擦除单元。
功能：
- 它接收一个指向 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体的指针作为参数。这个结构体配置擦除操作的具体要求：
  - TypeErase: 指定擦除类型，对于主存储区通常是 FLASH_TYPEERASE_SECTORS (擦除扇区)。
  - Sector: 指定要擦除的起始扇区号。
  - NbSectors: 指定要擦除的连续扇区数量。
  - VoltageRange: 指定设备的工作电压范围 (根据具体芯片型号选择，如 FLASH_VOLTAGE_RANGE_3)。
  - Banks: (仅适用于具有双 Bank 结构的 FLASH) 指定擦除哪个 Bank 中的扇区。
- 根据提供的配置，函数会执行将所选 FLASH 扇区的数据清除为已擦除状态（通常全部变为 0xFF）的操作。
与标准擦除函数的区别： HAL 库还有一个 HAL_FLASH_Erase 函数。
- HAL_FLASH_Erase: 用于擦除整个信息块 (Option Bytes) 或执行扇区擦除（但功能相对 HAL_FLASHEx_Erase 受限，一般用于信息块擦除）。
- HAL_FLASHEx_Erase: 属于扩展函数 (Ex)，提供更灵活、更强大的主存储区扇区擦除功能。它是擦除主 FLASH 存储区（即存储你的程序代码或数据的地方）扇区的首选函数。它能够控制擦除的起始扇区、连续扇区数量等。
关键步骤：
- 解锁 (Unlock): 在执行擦除操作前，必须调用 HAL_FLASH_Unlock() 解锁 FLASH 控制寄存器。
- 擦除 (Erase): 调用 HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SectorError)。
  - &EraseInitStruct: 传入配置好的擦除参数结构体地址。
  - &SectorError: 传入一个 uint32_t 变量的地址。如果函数返回错误 HAL_ERROR，该变量会被设置为导致错误的扇区号。
- 等待完成: 函数内部会等待擦除操作完成或发生超时/错误。
- 上锁 (Lock): 在操作完成后，建议调用 HAL_FLASH_Lock() 重新上锁 FLASH 控制寄存器，防止意外修改。
返回值: 返回 HAL_StatusTypeDef 值，指示操作状态：
- HAL_OK: 擦除成功。
- HAL_ERROR: 擦除失败。检查传入参数或 SectorError 变量获得错误详情。
- HAL_BUSY: FLASH 控制器正忙（可能前一个操作未完成）。
- HAL_TIMEOUT: 擦除操作超时。

简单示例代码片段 (示意)

FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
uint32_t SectorError = 0;

// 步骤 1：解锁 FLASH
if (HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK) {
    // 解锁失败处理
    Error_Handler();
}

// 步骤 2：配置擦除参数
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
EraseInitStruct.Sector = FLASH_SECTOR_6; // 例如擦除第 6 扇区
EraseInitStruct.NbSectors = 1;           // 擦除 1 个扇区
EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; // 根据芯片型号选择合适的范围
EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_1;     // 选择 Bank，假设是单 Bank 或需要指定

// 步骤 3：执行擦除
HAL_StatusTypeDef status = HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SectorError);

// 步骤 4：检查擦除结果
if (status != HAL_OK) {
    if (status == HAL_ERROR) {
        printf("Erase Error on Sector: %lu\n", SectorError);
    }
    // 其他错误处理 (BUSY, TIMEOUT)
    Error_Handler();
}

// 步骤 5：重新上锁 FLASH
if (HAL_FLASH_Lock() != HAL_OK) {
    // 上锁失败处理 (通常不是致命错误，但最好检查)
}

总结

HAL_FLASHEx_Erase 是 STM32 HAL 库中用于精细擦除主 FLASH 存储器特定扇区的核心函数。通过配置结构体指定要擦除的扇区范围，程序可以精确控制哪部分 FLASH 空间被清空，为后续的数据写入（例如保存用户数据、进行固件更新）做准备。使用时务必要遵循解锁-操作-上锁的流程，并仔细检查其返回值。

无法使用HAL驱动程序擦除闪存页面？

(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SECTORerror) != HAL_OK){/*扇区擦除时出错。用户可以在这里添加一些代码来处理这个错误

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stm32L151 cubemx写内部FLASH不正常

= FLASH_TYPEERASE_PAGES;f.PageAddress = Address; f.NbPages = 1; HAL_FLASHEx_Erase(&f, &PageError

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flash_erase无法无错误地擦除某些闪存页面怎么解决？

_FLASH_Unlock();HAL_FLASHEx_Erase(&erase_param, &err) //erase_param包含正确的page和bank从 HAL_FLASHEx_Erase(&

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);if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseStruct, &SectorError) != HAL_OK) {..}闪存写入时间写入闪存（+ 从文件读取时间）大约需要 20 秒

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= FLASH_TYPEERASE_PAGES;uint32_t pagE;HAL_FLASH_Unlock();//HAL_FLASHEx_Erase(&borrat, &pagE

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_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGSERR);HAL_FLASHEx_Erase

北冥有熊 2023-01-12 07:47:33

将STM32 Flash数据写入内存之前要擦除多少个扇区

and ICRST bits in the FLASH_CR register. */ if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &

hdfsf 2022-12-23 07:53:31

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_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, (uint32_t)&_app_validity, 0);HAL_FLASH_Lock();HAL_FLASH_Unlock();res = HAL_FLASHEx_Erase(&

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= GetPage(startAddr);EraseInitStruct.NbPages = 1;status = HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &

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);EraseInitStruct.Page= GetPage(start_address);EraseInitStruct.NbPages= num_pages;if (HAL_FLASHEx_Erase(&

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