TI推出面向高电流DC/DC 应用、显著降低上表面热阻的功率

TI推出面向高电流DC/DC 应用、显著降低上表面热阻的功率MOSFET

采用创新封装手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在标准封装尺寸下将散热效率提升 80%、允许电流提高 50%

    北京2010年1月13日电 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。

    该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于各种终端应用，其中包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等。

    TI 高级副总裁兼电源管理全球经理 Steve Anderson 指出：“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的 DC/DC 电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足这一需求。”

    DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性与优势：

    -- 作为单相35A 同步降压转换器的 MOSFET， 采用一个 MOSFET 即可满足高电流 DC/DC 应用中的高、低侧两种开关需求；

    -- 增强型封装技术可将封装顶部热阻从10 ~ 15摄氏度/每瓦降至1.2摄氏度/每瓦，从而将该封装所能承受的功耗提升 80%；

    -- 高效的双面散热技术可将允许通过 FET 的电流提高 50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器；

    -- 业界标准 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装可简化设计、降低成本，与使用两个标准5x6封装相比，可节省 30平方毫米的空间。

    供货情况

    DualCool NexFET 器件现已开始批量供货。此外，还提供样片与应用手册。

    通过以下链接查阅有关 TI NexFET MOSFET 与其它功率产品的更多信息：


    商标

    所有商标与注册商标均是其各自所有者的财产。

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    关于 TI NexFET 功率 MOSFET 技术

    2009 年 2 月TI 收购总部位于美国宾夕法尼亚州伯利恒的 CICLON 半导体器件公司，获得其极富创新的高效率电源管理解决方案。新增加的NexFET 功率 MOSFET 解决方案进一步壮大 TI 现有的电源管理产品系列，从而标志着 TI 能够为客户提供可支持高效电源设计的完整解决方案。DualCool(TM) NexFET 功率 MOSFET 是 TI收购该公司以来推出的第一款全新的功率 MOSFET 产品。

    关于德州仪器公司

    德州仪器 (TI) 始终致力于帮助客户从容应对任何设计挑战，从而开发出创新的电子解决方案，让未来世界更智能、更健康、更安全、更环保以及更精彩。作为全球性的半导体公司，TI 在全球超过 30 个国家设有制造、设计或销售机构。