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文章- 元器件知识

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模块/模组一、核心器件定义 ‌ IGBT（绝缘栅双极型晶体管） ‌ 电力电子领域核心开关器件，通过栅极电压控制导通状态： ‌ 结构特性 ‌：融合MOSFET高输入阻抗与BJT低导通压降，形成四层半导体复合结构（PNPN排列），支持600V以上高压场景 ‌ 功能特性 ‌：兼具高频开关与高电流承载能力，导通功耗仅为传统器件的1/5~1/10 ‌ SiC（碳化硅）功率器件 ‌ 第三代宽禁带半导体技术的代表： ‌ 材料优势 ‌：禁带宽度达3.3eV（硅的3倍）