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电子发烧友网>电子资料下载>电子论文>传感器技术论文>巨磁电阻效应与传感器

巨磁电阻效应与传感器

2009-07-13 | rar | 868 | 次下载 | 免费

资料介绍

本文介绍了各种磁性材料的巨磁电阻效应及其传感器的原理、结构、特性和应用。
对于物质磁电阻特性的研究由来已久,早在20 世纪40 年代人们就发现了磁电阻效应。所谓磁电阻是指导体在磁场中电阻的变化,通常用电阻变化率Δr/r描述。研究发现,一般金属导体的Δr/r很小,只有约10-5%;对于磁性金属或合金材料(例如坡莫合金),Δr/r可达(3~5)%。
所谓巨磁电阻(GMR)效应,是指某些磁性或合金材料的磁电阻在一定磁场作用下急剧减小,而Δr/r急剧增大的特性,一般增大的幅度比通常的磁性与合金材料的磁电阻约高10 倍。利用这一效应制成的传感器称为GMR 传感器。
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