模拟电子技术基础试卷 (8套)

模拟电子技术基础试卷 (8套):模拟电子技术基础试卷及答案
一、填空（18分）
1．二极管最主要的特性是 单向导电性   。
2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 12 V，二极管所承受的最大反向电压为  14  V。
3．差分放大电路，若两个输入信号uI1uI2，则输出电压，uO  0  ；若u I1=100V，u I 2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90 V。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用  低通  滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用  高通  滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用   带阻   滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用  带通   滤波器。
5．若三级放大电路中Au1Au230dB，Au320dB，则其总电压增益为   80  dB，折合为  104  倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ   0    、静态时的电源功耗PDC=    0  。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到  78.5%      ，但这种功放有   交越   失真。
7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为   ¬15     V。

二、选择正确答案填空（20分）
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（  A  ）。
A．NPN 型硅管    B.NPN 型锗管
C.PNP 型硅管     D.PNP 型锗管
2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D   ）。
A．P沟道增强型MOS管    B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管    D、N沟道耗尽型MOS管
3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C   ）。
A．输入电阻高    B.输出电阻低    C.共模抑制比大     D.电压放大倍数大
4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应（ D ）。
A． 减小C，减小Ri       B. 减小C，增大Ri 
C. 增大C，减小 Ri       D. 增大C，增大 Ri
5.如图所示复合管，已知V1的1 = 30，V2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。
A．1500   B.80    C.50    D.30
6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（  D  ）。
A. 基本共射放大电路        B.基本共集放大电路 
C.反相比例运算电路         D.同相比例运算电路
7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A  ）。
A.积分运算电路    B.微分运算电路    C.过零比较器    D.滞回比较器