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电子发烧友网>电子资料下载>电子资料>关于碳化硅不可不知的这些事

关于碳化硅不可不知的这些事

2023-02-20 | pdf | 0.36 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热 稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用,甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压功率 器件的关键因素。 得益于出色的物理和电子特性,基于 SiC 的功率器件正在推动电力电子设备的彻底变革。尽管这种材料早已为人所知,但它作为半导体的使用相对较新, 这在很大程度上是由于大型和高质量晶片的可用性。近几十年来,人们的努力集中在开发特定且独特的高温晶体生长工艺上。尽管 SiC 具有不同的多晶型 晶体结构(也称为多型),但 4H-SiC 多型六方晶体结构最适合高功率应用。
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