DS1307 RTC漂移自校正

描述

我拥有许多 DS1307 芯片，它们非常便宜，我喜欢在需要日期和/或时间的不同灯光项目中使用。但我无法想象这种 RTC 精度会如此糟糕。当然可以使用另一个芯片，但我不想重建我的旧项目硬件。

如果准确性很差，那么它是恒定的：每天几秒钟（几个月后可能会变成几分钟）。由于 DS1307 拥有一个小的 56 字节 NVRAM（只要电池留在原位，数据就会保存），该项目的想法是测量漂移，并将漂移值和参考日期记录到 NVRAM 中。

这个怎么运作

1- 我们将使用 DS1307 NVRAM 的前 9 个字节：

- “cell0”和“cell1”是定义 DS1307 状态的 2 个字节：

• “cell0= 1 & cell1 = 1” DS1307 漂移操作完成

• “cell0= 0 & cel1 = 0” DS1307 漂移操作正在进行 – 持续时间为 24 小时

• 任何其他值：从未执行过漂移操作

• “cell8”存储24小时定义的漂移值，是秒数。

• “cell2 to cell7”保留最后一次漂移操作的日期/时间。这些数据定义了应用漂移值的天数（在 1 天内计算）：GoodTime = ReadTime - (numberOfDays x 漂移)

2- 我们使用日期/时间参考来与 RTC 进行比较并定义漂移

此日期/时间参考可以通过 NTP（通过 ESP8266MPU 轻松获得）或 GPS 模块提供。

3- 插入 DS1307 时，有 3 种可能的情况：

1- DS1307 从未经过测试。如果确认操作，标记的日期/时间（= 当前日期/时间 + 24 小时）存储在 RAM 中，“cell0”和“cell1”设置为“0”。

2- 只要“cell0”和“cell1”设置为“0”，DS1307 就处于测试状态。每分钟将 RTC 秒数与定义漂移的 NTP 进行比较。我们假设漂移不会超过 -30s / +30s 的范围。一旦达到标记的日期/时间（即 24 小时后），应该测试 DS1307，漂移值存储在“cell8”中，“cell0”和“cell1”设置为“1”。

3- DS1307 已经过测试，可以使用了。首先建议调整时间，然后再重新测试 24 小时。

在测试期间不要让屏蔽层通电。每次开机都会获得参考日期/时间。如果下一次通电晚于所需的 24 小时测试，则漂移值将被校正以反映 24 小时持续时间。

注意：共享 2 个代码：

wemos mini 检测和设置任何 DS1307 漂移的代码，

Arduino Uno 的代码显示如何在检查了 DS1307 的漂移值后使用它