射频同轴电缆屏蔽衰减测试方法的比较

　　1 电缆屏蔽衰减的定义

　　随着电子通信及网络的高速发展，连接电子设备内部或电子设备之间的电缆的屏蔽性能正受到越来越多的关注。电缆具有天线效应，它既可以辐射信号，也可以接收信号。信号通过电缆辐射时，会对其它电子设备形成干扰;电缆接收电子设备发射的 无用信号又会对系统造成干扰。随着电子通信网络中工作频率的不断升高，这种干扰和辐射正严重影 响到系统的性能。为了提高电缆的抗干扰能力，减小对周围电磁 环境的污染，使用屏蔽电缆线不失为一种简单而行之有效的方法。屏蔽电缆既可以防止电缆内部信号的泄漏，又可以防止外部干扰信号进入电缆内部。屏蔽电缆的屏蔽性能一般用电缆的屏蔽衰减来度量，它是表征同轴线电磁兼容性（抗干扰和防泄漏） 的重要指标，定义为： as = 10 lg （ Pin / Pmax ） （1）式中Pin为注入功率， Pmax为辐射的最大功率。由于屏蔽电缆的屏蔽层多种多样，不同的屏蔽材料和屏蔽结构，电缆的屏蔽衰减会有很大的差异。为了给工程上评定、比较、设计和使用屏蔽电缆提供准确的 参考依据，必须对屏蔽电缆的屏蔽衰减进行测量。因此，电缆屏蔽衰减的测试技术正成为众多研究人员关注的问题。

　　2 主要测试方法射频同轴电缆是用于传输射频信号或能量的同轴电缆的总称。其工作频段通常为15 kHz～ 20 GHz ，主要应用于通信广播、电视、微波中继、雷达、 导航以及遥测等领域。射频同轴电缆屏蔽衰减的测 试方法可分为：a. 通过测量射频同轴电缆表面转移阻抗对其进行间接描述，三同轴法是典型的转移阻抗测量方法;b.直接测量射频同轴电缆的屏蔽衰减， 比较常用的有功率吸收钳法、混响室法、GTEM小室法等。在上述测试方法中，混响室法和GTEM小室法是基于场的观点，其余的测试方法则是基于电路的观点，且上述测试方法均已为IEC所采用。本文将阐述上述四种电缆屏蔽衰减的测试方法并对其进行比较。