FLASH存储器K9F2G08X0A的中文数据手册免费下载

　　K9F2G08X0A是一个2，112Mbit（2，214，592，512bit）大小，拥有131，072行（页）和2，112x8列的记忆体。额外的64x8列位于列地址的2，048~ 2，111。在页编程和页读取操作期间，一个2，112-byte大小的数据寄存器（缓存）连接到存储单元阵列在I/O缓存区和存储区之间进行数据的暂存和传输。存储器阵列基本结构是由32个单元串联形成的一个NAND结构。32个单元每个都属于不同的页。一个块包含两个NAND 结构串。一个NAND结构包含32个单元。共1，081，344个NAND单元组成一个块。读取和编程操作是在页面上执行的，而擦除操作是基于块的基础上执行的。存储器阵列是由2048个单独的可擦除的128K字节的块组成的。这表明在K9F2G08X0A中一位一位的擦除操作是被禁止的。 K9F2G08X0A有8路I/O地址复用功能。该方案大大减少了引脚数并且允许系统升级到未来的密度还能保持一致性的系统模板设计。命令、地址和数据都通过I/O口写入，此时将WE置为低电平且保持CE为低电平。它们都是通过WE的上升沿来锁存数据的。命令锁存使能 （CLE）和地址锁存使能（ALE）用来通过I/O引脚区分命令和地址。一些命令需要一个总线周期。比如重置命令，状态读取命令等只需要一个总线周期。另外的一些命令比如页读取、页编程、块擦除等需要两个周期：一个周期用来设置，另一个周期用来执行。264MB的物理存储空间需要29位的地址，因此需要5个周期来进行寻址：2个周期发送列地址，3个周期发送行地址，按顺序进行。页读取和页编程需要同样的5个地址周期来遵循需要的命令输入。对于块擦除操作，只有3个行地址周期被使用。对命令寄存器写特定的命令可以对设备进行不同的操作。表1 定义了对K9F2G08X0A进行操作的特定命令。除了增强的结构和接口，设备采用了copy-back编程特性，可以从一个页直接复制到另一页而无需外部缓冲设备进行数据传输。由于耗时的串行访问和数据输入周期被移除，固态磁盘应用系统的性能显著提高。