资料介绍
MAX11014/MAX11015设置和控制双路MESFET功率器件的偏置状态,用于点对点通信或其他微波基站。MAX11014集成有两路完整的闭环模拟漏极电流控制器,用于工作在A类放大器的MESFET,而MAX11015针对AB类工作。这两种器件都集成有SRAM查找表(LUT),用于保存温度和漏极电流补偿数据。
每种器件都包含两个高边电流监测放大器,以监测MESFET的漏极电流在取样电阻上的压降,其范围为0至625mV。外部采用二极管连接的晶体管用于监测MESFET的温度,内部温度传感器监测MAX11014/MAX11015管芯的本地温度。内部DAC通过控制栅极电压来设置电流取样电阻上的压降。内部12位SAR型ADC将内部和外部温度、内部DAC的电压、电流检测放大器的电压以及外部的栅极电压数字化。该11通道ADC其中的两个通道可作为通用模拟输入,用于模拟系统监视。
MAX11014的栅极驱动放大器提供积分功能,用于A类漏极电流控制环路,而MAX11015的栅极驱动放大器提供-2倍放大功能,用于AB类应用。带电流限制的栅极驱动放大器可以被快速嵌位至外部电压,而不依赖串行接口的数字输入。MAX11014和MAX11015都包含有自校准模式,以使由时间、温度和电源带来的误差最小化。
MAX11014/MAX11015包含有内部基准,并可以使ADC和DAC单独采用外部基准。内部基准为ADC、DAC和温度传感器提供经过良好稳压的+2.5V低噪声基准电压。这些内部电路由4线制20MHz SPI™/MICROWIRE™兼容或3.4MHz I²C兼容串行接口控制(可通过引脚选择)。两种器件都采用+4.75V至+5.25V的模拟电源(电流典型值2.8mA)、+2.7V至+5.25V的数字电源(电流典型值1.5mA)和-4.5V至-5.5V负电源(电源电流1.1mA)供电。MAX11014/MAX11015提供48引脚薄型QFN封装,工作于-40°C至+105°C温度范围。
每种器件都包含两个高边电流监测放大器,以监测MESFET的漏极电流在取样电阻上的压降,其范围为0至625mV。外部采用二极管连接的晶体管用于监测MESFET的温度,内部温度传感器监测MAX11014/MAX11015管芯的本地温度。内部DAC通过控制栅极电压来设置电流取样电阻上的压降。内部12位SAR型ADC将内部和外部温度、内部DAC的电压、电流检测放大器的电压以及外部的栅极电压数字化。该11通道ADC其中的两个通道可作为通用模拟输入,用于模拟系统监视。
MAX11014的栅极驱动放大器提供积分功能,用于A类漏极电流控制环路,而MAX11015的栅极驱动放大器提供-2倍放大功能,用于AB类应用。带电流限制的栅极驱动放大器可以被快速嵌位至外部电压,而不依赖串行接口的数字输入。MAX11014和MAX11015都包含有自校准模式,以使由时间、温度和电源带来的误差最小化。
MAX11014/MAX11015包含有内部基准,并可以使ADC和DAC单独采用外部基准。内部基准为ADC、DAC和温度传感器提供经过良好稳压的+2.5V低噪声基准电压。这些内部电路由4线制20MHz SPI™/MICROWIRE™兼容或3.4MHz I²C兼容串行接口控制(可通过引脚选择)。两种器件都采用+4.75V至+5.25V的模拟电源(电流典型值2.8mA)、+2.7V至+5.25V的数字电源(电流典型值1.5mA)和-4.5V至-5.5V负电源(电源电流1.1mA)供电。MAX11014/MAX11015提供48引脚薄型QFN封装,工作于-40°C至+105°C温度范围。
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