资料介绍
木发明涉及一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法。选择P型或N型晶体硅硅片为衬底,经常规清洗和表面织构化后,在硅片的背表面淀积掺杂源。然后利用激光对欲彤成掺杂区的区域进jJ:加热,使掺杂源中的杂质扩散进入硅片中。 面没有激光加热的区域温度较低,掺杂源不会进入硅片。激光处理结术后,用水或其它溶剂占除贱留的掺杂源。这样,就在限定的区域形成了掺杂区。采用这种方法,可以简单地实现背表面限定区域内的掺杂。 然后利用丝网印刷、光刻、或真空蒸发、溅射等常规方法分别制各发射区和基区电极,并完成电池的制作。用这种方法制备背接触电池,可以明显简化电池的制作工艺,减少工艺成本。
1.一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法,其步骤包括:
(1)采用厚度为100~500 u m,电阻率为0.2~ooo Q cm的P型或N型晶体硅作为衬底;
(2)用常规方法在所述硅衬底正表面作表面织构化:然后作常规清洗;
(3)在所述硅衬底背表面,淀积掺杂源;淀积方法包括喷涂、印刷以及其它常规的淀积方法;
(4)利用激光对欲形成掺杂区的区域进行加热形成掺杂区;
(6)采用常规的丝网日J刷、真空蒸发或溅射方法,在所述掺杂区上制备基区或发射区金属电极。
2.如权利要求1所述的一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法,其特征在于:所述掺杂源为含磷、或锑、或硼、或铝、或镓等III族或V族掺杂剂的化合物或混合物。
3.如权利要求l所述的一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法,其特征在于:形成掺杂区的方法为激光加热。激光的波长为400~1200nm,加热温度800~1400℃。
4.如权利要求l、3所述的一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法,其特征在于:所述掺杂区为N型或P型,按照与衬底导电类型相同或相反,分别作为背接触电池的基区接触区或发射区。
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