一个更好的方式在LED背光管理漏电流故障

　　一个更好的方式在LED背光管理漏电流故障

　　一个标准的方式来配置一个背光是使用两个分立器件：100 V MOSFET在DPAK封装和100 V肖特基二极管，也在采用DPAK封装。肖特基二极管的高漏电流可能是在LED背光单元，特别是在较高的温度下的问题。一些客户在大规模生产过程中经历了肖特基二极管的泄漏故障问题。提高泄漏故障的一种方法是增加肖特基二极管的电压等级从100 V至120 V，但泄漏电流仍然可以是一个问题时，系统温度高。

　　我们的设计团队开发了一种替代的方法，利用飞兆半导体的新的100 V boostpak溶液。BoostPak家族（图1）使用一个单一的包家两设备：100 V和150 V NP二极管的MOSFET。

　　Figure 1： The BoostPak combines a 100 V MOSFET and a 150 V NP diode into one package.

　　The BoostPak family is housed in a single 5-lead DPAK package. The N-channel MOSFET has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance. The NP diode is a hyperfast rectifier with low forward voltage drop and excellent switching performance. It has a much lower leakage current than a Schottky diode， so it delivers better system reliability in high-temperature applications.

　　Compared to the two-discrete solution， the BoostPak approach uses a smaller footprint and can save as much as 20 mm² of PCB space. Using one package instead of two also means there is less assembly work and lower system cost.