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随着智能手机屏幕、电池容量的增大，加上智能手机内部功能组件的增多，PCB 区域已成为移动终端内部寸土寸金的竞争地带，他们都在挤压着射频前端的物理空间，加上移动通信技术的发展，对于射频前端的设计复杂程度和技术难度带来了极大的挑战。研究机构 Yole Developpement 最新的报告指出，随着 5G 技术日益成熟，未来射频功率放大器（RF PA）市场将出现显著成长，但传统的 LDMOS 制程将逐渐被新兴的氮化镓 （GaN）取代，砷化镓（GaAs）的市场占比则相对稳定。
Yole 预计，电信基地台设备升级与小型基地台的广泛布建，将是推动 RF PA 市场规模成长最主要的动力来源。 2016 年全球 RF PA 市场规模约为 15 亿美元，到 2022 年时，市场规模将达到 25 亿美元，复合年增率（CAGR）为 9.8%。 不过，由于导入新的射频技术，并且使用更高的通讯频段，因此 RF PA 必须使用新的制程技术来实现。展望未来，采用 GaN 制程的 RF PA 将成为输出功率 3W 以上的 RF PA 所采用的主流制程技术，LDMOS 制程的市场份额则会明显萎缩。 5G 下的射频前端无线移动通信在 20 多年里得到了飞速的发展，给人们的生活、学习和工作方式以及政治、经济、社会等各方面都带来了巨大的影响。自 2012 年初 WRC-12 上 ITU 通过了 4G 标准之后，通信业界开始研究 5G。各国成立了专门组织推进 5G 研究，争抢新一轮技术和标准的影响力和制高点。例如，欧盟启动了 METIS、5GNOW 等多个 5G 预研项目，并成立了 5GPPP；韩国成立了 5G Forum 等；
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