TC2201 塑料封装低噪声PHEMT GaAs FET

FET GaAs PHEMT

型号： TC2201

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo
型号 TC2201
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Ceramic micro-X

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的TC2201是一种高性能场效应晶体管，与TC1201一起封装在塑料封装中PHEMT芯片。其低噪声系数使该器件适合用于低噪声放大器。所有设备经过100%直流测试，确保质量一致。

型号规格
厂家 Sumitomo
型号 TC2201
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Ceramic micro-X

型号参数
1.5 dB 12 GHz时的典型噪声系数
高相关增益：Ga=7 dB，典型频率为12 GHz
12 GHz时的21.5 dBm典型功率
12 GHz时的8 dB典型线性功率增益
Lg=0.25µm，Wg=300µm
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试
低成本塑料Micro-X封装

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