--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 ZXMS6008N8Q
- 名称 60V N 沟道自保护增强模式 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 SO-8
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 ZXMS6008N8Q 是一款具有逻辑电平输入的自保护低侧 MOSFET。它集成了过热、过流、过压(有源钳位)和 ESD 保护逻辑电平功能。ZXMS6008N8 非常适合在标准 MOSFET 不够坚固的恶劣环境中作为由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 ZXMS6008N8Q
名称 60V N 沟道自保护增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 SO-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Automotive
Configuration Single
Polarity N
BVDSS (V) 60 V
ID VIN = 5V (A) 1.1 A
PD (W) 1.15 W
RDS(ON) Max @ VIN (3V) (mΩ) 800 mΩ
RDS(ON) Max @VIN (5V) (mΩ) 700 mΩ
VDSVIN = 5V (S/C) (%) 36 %
EAS (mJ) 210 mJ
TJ (°C) 150 °C
主要特征
紧凑型高功耗封装
低输入电流
逻辑电平输入(3.3V 和 5V)
具有自动重启功能的短路保护
过压保护(有源钳位)
带自动重启功能的热关断
过流保护
输入保护(ESD)
高连续额定电流
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