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DMTH4011SPDQ 40V 175°C 双 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH4011SPDQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH4011SPDQ
  • 名称 40V 175°C 双 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI® 5060-8

--- 产品详情 ---

DMTH4011SPDQ

产品简介
DIODES 的 DMTH4011SPDQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,受 PPAP 支持,非常适合用于:背光、电源管理功能和 DC-DC 转换器。

 

产品规格 
品牌                   DIODES
型号                   DMTH4011SPDQ
名称                   40V 175°C 双 N 沟道增强型 MOSFET
产地                   台湾
封装                   PowerDI® 5060-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.1 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 42 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.6 nC
CISS Typ (pF) 805 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少状态损失
低输入电容
开关速度快


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