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DMTH4002SCTB 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH4002SCTB

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH4002SCTB
  • 名称 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO263AB

--- 产品详情 ---

DMTH4002SCTB 

产品简介
DIODES 的 DMTH4002SCTB 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMTH4002SCTB
名称                  40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  TO263AB


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 192 A
PD @TA = +25°C (W) 6 W
PD @TC = +25°C (W) 166.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 77.5 nC
CISS Typ (pF) 7180 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
低 RDS(ON) – 最大限度地减少功率损耗
低 Qg – 最大限度地减少开关损耗


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