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ZXTN2010G 低饱和 晶体管

型号: ZXTN2010G

--- 产品参数 ---

  • 符合 AEC 标准 是的
  • 合规性 汽车
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 60
  • IC (A) 6
  • ICM (A) 20
  • PD (W) 3
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 35

--- 产品详情 ---

ZXTN2010G 

 
产品简介
DIODES 的 ZXTN2010G 这款新型低饱和 60V NPN 晶体管采用 SOT223 封装,导通状态损耗极低,非常适合用于 DC-DC 电路以及各种驱动和电源管理功能。

 

产品规格 
符合 AEC 标准  是的
合规性(只有汽车支持 PPAP) 汽车
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 6
ICM (A) 20
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 55
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 135
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 35

 

主要特征
bvco>60伏
IC=6A连续集电极电流
ICM=20A峰值脉冲电流
低饱和电压VCE(SAT)<60mV最大值@1A
低等效导通电阻时,RSAT=35mΩ@Ic=6A
hFE规定高达10A用于高增益保持
无铅饰面;符合RoHS(注1和2)
不含卤素和锑。“绿色”装置(注3)
符合AEC-Q101高可靠性标准

 

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