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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) LU012N10XD10-RST 100V/360A大电流MOSFET技术分析

型号： LU012N10XD10-RST
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

LU012N10XD10-RST.pdf

--- 产品详情 ---

LU012N10XD10-RST是瑞斯特(RST)在TOLL外形平台上推出的一款100V N沟道增强型MOSFET，器件采用SGT工艺并以此压低导通阻抗与栅极电荷的乘积。数据手册给出的核心规格为：导通电阻在ID=40A、VGS=10V条件下典型值1.05mΩ、上限1.2mΩ；连续漏极电流按硅片极限标定，TC=25℃时360A，TC=100℃时仍保有280A；脉冲漏极电流1400A，单脉冲雪崩能量EAS达4802mJ（L=1mH），最大功耗278W，工作结温范围-55~150℃。以栅极总电荷与通阻的乘积衡量，其FOM约169nC·mΩ，在同耐压等级的TOLL器件中属于低值区间，表明导通损耗与开关损耗的权衡较为出色。

直流特性方面，漏源击穿电压V(BR)DSS最小值为100V；栅极阈值电压VGS(th)分布于2.0~4.0V、典型值3.0V，与3.3V及5V逻辑驱动电平可以直接衔接。零栅压漏电流IDSS在100V偏置下上限10μA，栅源漏电IGSS不超过±100nA，关断态功耗基本可忽略。导通电阻上限1.2mΩ相对典型值1.05mΩ的容差约14%，批次一致性控制较紧。热学参数上，结到壳热阻RthJC仅0.45℃/W，TOLL封装底部的大面积散热焊盘构成低热阻路径，使得278W的额定功耗在连续重载条件下具备稳定的热导出条件。

开关过程的瞬态指标为：输入电容Ciss 12540pF，输出电容Coss 3855pF，反向传输电容Crss 152pF，栅极内阻Rg 1.4Ω；栅极总电荷QG为161nC，其中栅源电荷Qgs 51nC、栅漏电荷Qgd 32nC，密勒平台宽度有限，驱动电路功率需求不高。在VDS=50V、ID=100A、RG=1.6Ω的测试条件下，开通延迟25ns、上升时间65ns，关断延迟60ns、下降时间33ns，开关过渡干脆。体二极管正向压降典型值0.8V、上限1.2V（ISD=40A），反向恢复时间trr为49ns、恢复电荷Qrr为437nC，在续流回路中可抑制反向恢复引起的附加损耗与电压振铃。

工程落地上，该器件与电机控制、电池管理及DC/DC三个方向的适配性较为直接。电机驱动回路中，1400A的脉冲电流能力可以覆盖电机启动浪涌与堵转冲击，1.05mΩ通阻水平有助于压低绕组驱动回路的导通损耗；电池管理应用中，100V耐压适配多串锂电池组拓扑，360A连续电流支撑大倍率充放电回路的低损耗开关控制；DC/DC变换器一侧，低FOM与快速开关时间让高频PWM调制下的总损耗保持在较低水平，结合TOLL封装的紧凑尺寸与良好散热，适合对功率密度有明确要求的电源模块设计。

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