瑞斯特（RST）LR030N10SM3-RST是一款采用SGT屏蔽栅沟槽工艺的N沟道增强型功率MOSFET，以TO-220封装形式实现了100V耐压等级下的均衡性能表现。该器件在Tc=25℃时持续漏极电流达185A，Tc=100℃下降至130A，导通电阻RDS(on)典型值为2.6mΩ（VGS=10V、ID=75A条件下），栅极电荷与导通电阻的FOM优值表现优秀。产品定位面向高频开关与同步整流场景，额定结温覆盖-55℃至150℃，TO-220通孔封装适合对散热和成本均有要求的工业级电源应用。
从电气参数细节来看，LR030N10SM3-RST的静态特性与动态特性均达到了同封装等级下的较高水准。静态参数方面，漏源击穿电压V(BR)DSS最小值为100V，栅极阈值电压VGS(th)典型值3V，规格区间为2V至4V；漏源导通电阻最大值不超过3.0mΩ，零栅压漏电流IDSS在100V耐压下低于1μA，栅源泄漏电流IGSS在±20V栅压时不超过±100nA。动态参数上，输入电容Ciss为8822pF、输出电容Coss为1839pF、反向传输电容Crss为102pF（均在VDS=40V、VGS=0V、f=1MHz条件下测得）。栅极电荷总量QG为187nC，其中栅源电荷Qgs为56nC、栅漏电荷Qgd为51nC。开关速度表现亮眼：开通延迟td(on)仅35ns、上升时间tr 40ns、关断延迟td(off) 89ns、下降时间tf仅30ns（测试条件为VGS=10V、VDD=50V、ID=20A、RG=1.6Ω），快速的开关动作有助于降低硬开关拓扑中的损耗。体二极管特性方面，正向压降VSD最大值为1.2V（ISD=90A），反向恢复时间trr为89ns，反向恢复电荷Qrr为213nC（IF=90A、di/dt=100A/μs），在同步整流应用中可有效控制续流损耗。
热性能与可靠性指标上，LR030N10SM3-RST的结壳热阻RthJC最大值为0.54℃/W，结到环境热阻RthJA为60℃/W，Tc=25℃时最大功耗Pd达231W，TO-220封装的大面积金属基板配合外部散热器，可实现良好的功率耗散能力。抗浪涌与雪崩能力方面，脉冲漏极电流IDpulse可达740A，单脉冲雪崩能量EAS为1369mJ，足以应对系统启动与负载切换时的瞬态过压过流工况。栅源电压额定范围为±20V，为驱动电路设计预留了充足的电压裕度。封装采用TO-220直插形式，管状包装每管50只，适用于需要通孔焊接的电源板和工业控制板卡生产。
结合TO-220封装的安装便利性与器件的快速开关特性，LR030N10SM3-RST在多类中低功率电源系统中具备广泛适用性。充电器与适配器是其典型应用领域，无论是AC/DC充电器的次级同步整流，还是初级侧功率开关，较低的导通电阻与快速开关能力均能有效提升转换效率并简化散热设计。在DC/DC变换器中，该器件可用于Buck、Boost、半桥等多种拓扑，89ns的短反向恢复时间在同步整流工况下优势明显，能降低体二极管的导通损耗。此外，工业电源辅助功率级、电机驱动预驱电路、以及各类通用型负载开关和电池保护回路，也均可选用该TO-220封装的MOSFET，为需要通孔安装和较高散热能力的设计提供可靠选择。
