瑞斯特（RST）LR046N10SM10-RST为一款SGT屏蔽栅沟槽工艺N沟道增强型功率MOSFET，电压电流规格100V/135A，导通电阻典型值4mΩ，封装形式为TOLL。器件设计上重点压缩了开关过程中的电荷与寄生参数：总栅电荷Qg仅70nC，反向传输电容Crss仅19pF，栅极电荷与导通电阻的乘积优值（FOM）在100V级产品中处于较优水平，高频应用场景下可显著减少开关损耗。额定结温范围-55℃至150℃，主要面向充电器、DC/DC变换器以及高频开关与同步整流电路。
静态与动态参数方面，漏源击穿电压V(BR)DSS最小值为100V，栅极阈值电压VGS(th)处于2V至4V区间；导通电阻RDS(on)在VGS=10V、ID=20A条件下为典型4mΩ、最大4.6mΩ，零栅压漏电流IDSS不大于1μA，栅源泄漏电流IGSS在±20V栅压下不超过±100nA，截止态特性理想。动态参数上，输入电容Ciss为4428pF，输出电容Coss为610pF，反向传输电容Crss仅19pF（VDS=50V、f=1MHz），如此低的Crss/Ciss比值可有效抑制密勒效应引起的开关振荡与误开通。栅极电荷总量70nC中，栅源电荷Qgs为23nC、栅漏电荷Qgd为18nC。开关时序（VGS=10V、VDS=50V、ID=50A、RG=6Ω）为开通延迟18ns、上升时间36ns、关断延迟60ns、下降时间37ns，开关动作迅速。体二极管正向压降VSD最大值1.2V（IF=50A），反向恢复时间trr为72ns，反向恢复电荷Qrr为140nC，续流工况下恢复损耗较低。
热与可靠性方面，结壳热阻RthJC最大值为0.8℃/W，结到环境热阻RthJA最大值为40℃/W，Tc=25℃时最大功耗Pd为156W，TOLL封装裸露焊盘为散热提供了直接通路。脉冲漏极电流ID pulse为580A，单脉冲雪崩能量EAS为625mJ，可承受启动浪涌与负载突变带来的瞬态冲击。栅源电压额定±20V，为驱动电路设计留出余量。器件采用卷带包装，每盘2000只，适配标准SMT产线批量贴装。
从应用角度看，LR046N10SM10-RST的价值集中在高频高效率场景。充电器与适配器中，该器件适合作次级同步整流开关管，低Qg与低Crss使高频开关动作干净利落，140nC的低Qrr直接减小了体二极管反向恢复阶段的损耗，有助于提升满载转换效率。DC/DC变换器应用中，70nC的栅极电荷与18ns的开通延迟允许更高的工作频率，进而缩小磁芯与滤波器件体积，实现高功率密度设计。此外，在通信电源、服务器辅助电源以及各类需要快速开关的功率级中，该器件凭借低损耗与高可靠性特性，为工程师提供了兼顾性能与成本的开关方案。
