瑞斯特(RST)的LR026N09XD10-RST是一款90V耐压等级的N沟道增强型MOSFET，采用TOLL封装与SGT屏蔽栅极工艺，面向中压大电流功率应用设计。器件核心参数为90V漏源耐压、226A连续漏极电流（Tc=25℃硅极限）以及2.25mΩ的典型导通电阻（VGS=10V、ID=30A条件下），脉冲漏极电流能力达840A，单脉冲雪崩能量EAS为812mJ，最大功耗250W，工作结温范围-55℃至150℃。该器件以90V的中压规格与TOLL封装的大散热路径组合，在通态损耗与电流容量之间取得了针对性平衡，适合对耐压要求介于低压40V与高压100V之间的功率系统设计。
静态参数方面，漏源击穿电压V(BR)DSS最小值为90V，栅极阈值电压VGS(th)典型值3.0V，分布区间2.0~4.0V，可与3.3V以上逻辑驱动电路直接兼容。零栅压漏电流IDSS在VDS=80V时不超过1μA，栅源漏电流IGSS在±20V偏置下小于±100nA，关断态损耗处于较低水平。导通电阻RDS(on)在VGS=10V、ID=30A测试条件下典型值为2.25mΩ、最大值2.6mΩ，对于90V耐压等级的TOLL封装器件而言具备较好的通阻特性。热学性能上，结到壳热阻RthJC为0.5℃/W，TOLL封装底部大面积散热焊盘可将芯片热量迅速传导至PCB铜箔，为250W最大功耗的连续运行提供热学基础。
动态开关特性是该器件的一个突出维度。输入电容Ciss为4955pF，输出电容Coss为2087pF，反向传输电容Crss仅82pF，栅极总电荷QG仅64nC，其中Qgs为23nC、Qgd为10nC，栅极电阻Rg低至0.9Ω。以QG×RDS(on)计算的品质因数FOM约为144nC·mΩ，在同耐压等级中表现优异，意味着开关损耗与导通损耗达到了较好的折中点。开关速度参数上，在VGS=10V、VDS=40V、RG=3Ω测试条件下，开通延迟仅21ns、上升时间13ns，关断延迟48ns、下降时间12ns，整体开关过渡过程极短，驱动信号响应迅速，适合高频PWM调制场景。体二极管方面，正向压降VSD典型0.8V、最大1.2V（ISD=125A），反向恢复时间trr为80ns、反向恢复电荷Qrr为147nC，在同步整流与续流回路中可有效控制反向恢复带来的额外损耗与电压尖峰。
应用场景方面，LR026N09XD10-RST覆盖电机控制与驱动、电池管理及DC/DC变换等领域。电机驱动系统中，840A脉冲电流能力可应对电机启动浪涌与堵转冲击，2.25mΩ的低导通电阻可显著降低绕组回路通态损耗，提升系统能效；电池管理系统中，90V耐压适配多串锂电组保护拓扑，226A连续电流可满足较大倍率充放电回路的开关控制需求；DC/DC变换器应用中，64nC的低栅极电荷与纳秒级开关速度使高频工作下的驱动损耗与开关损耗均处于较低水平，配合TOLL封装的可靠散热路径，可支撑电源模块在更高开关频率下实现小型化与高密度设计。
