瑞斯特（RST）LR028N10SM10-RST是一款基于SGT屏蔽栅沟槽工艺的N沟道增强型功率MOSFET，在100V耐压等级下针对高速开关应用进行了优化设计。该器件漏源击穿电压为100V，Tc=25℃时持续漏极电流达240A（硅极限），Tc=100℃时降至151A，导通电阻RDS(on)典型值为2.36mΩ（VGS=10V、ID=50A条件下）。尤为突出的是其动态参数：反向传输电容Crss仅35pF、栅漏电荷Qgd 36nC、栅极内阻RG低至0.74Ω，三者组合使器件具备极快的开关速度和优异的高频工作表现。产品采用TOLL封装形式，额定结温范围为-55℃至150℃，在中小功率等级下兼顾导通损耗与开关损耗。
从电气参数构成来看，LR028N10SM10-RST的静态特性与动态特性实现了较好的平衡。静态方面，栅极阈值电压VGS(th)典型值3V，规格区间为2V至4V，对不同驱动电平的适配性较宽；漏源导通电阻最大值不超过2.8mΩ，零栅压漏电流IDSS在100V耐压下低于1μA，栅源泄漏电流IGSS在±20V栅压时不超过±100nA；正向跨导gfs典型值100S（VDS=5V、ID=50A），反映出器件良好的电流增益能力。动态特性是该器件的核心亮点：输入电容Ciss为7718pF、输出电容Coss为1355pF，而反向传输电容Crss仅35pF（均在VDS=40V、VGS=0V、f=1MHz条件下测得），极低的Crss/Ciss比值可有效抑制密勒效应引起的开关振荡和误导通风险。栅极电荷方面，总电荷QG为122nC，栅源电荷Qgs为28nC，栅漏电荷Qgd为36nC。开关时序参数表现优异：开通延迟td(on)仅48ns、上升时间tr 56ns、关断延迟td(off) 75ns、下降时间tf仅33ns（测试条件为VGS=10V、VDS=50V、ID=50A、RG=3Ω），加之0.74Ω的极低栅极内阻，使器件在硬开关拓扑中也能保持较低的开关损耗。体二极管正向压降VSD最大值为1.2V（ISD=50A），反向恢复时间trr为115ns，反向恢复电荷Qrr为320nC（IF=100A、di/dt=100A/μs），在同步整流等续流工况下可维持合理的损耗水平。
热性能与可靠性指标方面，LR028N10SM10-RST的结壳热阻RthJC为0.46℃/W，Tc=25℃时最大功耗Pd达271W，TOLL封装的裸露散热焊盘为功率耗散提供了有效通路。抗浪涌能力上，脉冲漏极电流IDpulse可达960A，单脉冲雪崩能量EAS为1225mJ（测试条件为L=0.5mH、Rg=25Ω），可以应对系统启动和负载切换中的瞬态冲击。栅源电压额定范围为±20V，为驱动设计留出了充足裕度。封装采用TOLL（TO-Leadless）形式，卷带包装规格为每盘2000只，料带宽度24mm，可直接适配标准SMT自动化贴装产线。
结合低Crss、低Qgd与快速开关特性，LR028N10SM10-RST在高频化电力电子设计中具备明确的应用价值。高频DC/DC变换器是其优势领域，无论是硬开关拓扑如Buck、Boost、半桥，还是需要快速开关动作的有源钳位反激等电路，极低的密勒电荷都能显著降低开关损耗并提升工作频率，从而帮助工程师减小磁性元件与滤波电容的体积。在电机驱动应用中，该器件可用于中小功率伺服系统、工业风机泵类变频器以及电动工具的功率逆变级，快速开关能力配合合理的导通电阻可提升系统整体效率。此外，电池管理系统中的充放电保护回路、通信电源辅助功率级、以及各类通用型负载开关电路，也均可选用该器件作为功率开关，为系统设计提供可靠且高效的解决方案。
