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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) BTA140-600G0 25A大功率通用双向可控硅技术解析

型号： BTA140-600G0
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

BTA140-600G0.pdf

--- 产品详情 ---


瑞斯特(RST) BTA140-600G0是一款采用TO-220C封装的25A通态电流等级双向可控硅器件，完全符合RoHS环保要求，器件引脚设计支持从主端子T2直接外接外部散热片拓展散热冗余，核心电气指标为600V重复断态与反向耐压、I/II/III/IV四个触发象限下50/50/50/70mA的门极触发电流，125℃高温结温下仍可维持1200V/μs的断态电压临界上升率耐受能力，适配25A等级大负载功率的通用工业级交流开关与相位控制场景。
核心电气与热性能层面，该器件壳温不超过100℃时通态有效值电流额定为25A，20ms全周期正弦脉冲下非重复浪涌通态电流可达250A，16.6ms脉宽下非重复浪涌通态电流为275A，10ms脉宽下对应熔断I²t值为340A²s；125℃高温结温条件下，I、II象限允许的通态电流临界上升率最低为100A/μs，III、IV象限对应值最低为50A/μs，关断状态下换向断态电压临界上升率最小值可达12V/μs，断态非重复尖峰脉冲耐受电压最高可达2kV，门极峰值可耐受电流达4A，平均门极耗散功率上限为0.5W，峰值门极功率可达10W；热参数方面，结到壳的交流热阻为0.7℃/W，结到环境的交流热阻为60℃/W，存储与工作结温范围分别覆盖-40℃至150℃、-40℃至125℃，可支撑极端宽温工业场景下的长期运行。
器件封装与加工特性适配主流工业产线，TO-220C直插封装的引脚尺寸公差完全覆盖工业通用标准，定位精度适配传统波峰焊产线的插件固定要求；器件对应IEC 61000-4-5标准的浪涌测试电路参数已完成标定，配套指定2Ω串联电阻、0.5Ω负载电阻与3.7μH电感的标准负载模型可直接用于整机浪涌测试的参数参考；产品采用TO-220C标准管式包装，单管装载量50pcs，单内盒容量1000pcs，单箱总载量5000pcs，适配传统直插器件手动插件、半自动产线供料的常规需求，无需额外定制特殊包装规格。
从实际落地的应用场景来看，该双向可控硅可直接用作通用大功率交流回路的通断执行器件，比如高功率采暖设备的功率通断调节、大扭矩感应电机的启动回路控制；也可用于大负载相位控制类功能实现，例如大型商用场馆的灯光调光电路、工业级大功率交流电机的转速控制器件选型，得益于1200V/μs的超高断态dV/dt耐受能力，器件在电机启停等瞬态高压场景下依然能维持极低的非预期误触发概率，无需多器件并联扩流即可支撑25A级别的大电流交流负载场景，有效减少大功率交流控制板的外围元件数量，大幅简化整机的电路设计与EMC验证流程。

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