--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
瑞斯特(RST)推出的BT169H是一款面向弱传感信号驱动场景的0.8A门极灵敏型单向可控硅器件,采用符合RoHS规范的标准TO-92直插封装,已通过UL安规认证,门极触发阈值低至200μA级别,同时具备500V/μs的超高临界断态电压上升率,抗电磁干扰能力突出,器件支持通过门极-阴极下拉电阻拓展高温工作区间,无需复杂驱动电路即可实现稳定触发,核心参数适配剩余电流动作保护器、美发直发器温控回路、小型电子点火装置等小功率控制场景需求,为低功耗弱信号触发类小功率单向交直流控制回路提供轻量化的高可靠直插式开关解决方案。
该器件的极限参数针对弱驱动小功率负载场景做了充足适配性设计,额定有效值通态电流为0.8A,外壳温度TC≤60℃的工况下可实现0.5A的平均通态电流稳定运行,重复断态峰值电压与重复反向峰值电压均达800V,存储结温覆盖-40℃至150℃,工作结温覆盖-40℃至125℃的宽温区间,当门极与阴极之间接入≤1kΩ下拉电阻时,最高允许工作结温可稳定维持在125℃,无外接下拉电阻时最高工作结温为110℃。其10ms脉宽下非重复浪涌通态峰值电流可达8A,8.3ms脉宽下浪涌峰值电流可达9A,10ms熔断工况对应的I2t参数为0.32A²s,125℃结温下的临界通态电流上升率可达50A/μs,非重复断态脉冲电压峰值可达1kV,峰值门极电流最高允许1A,峰值门极耗散功率可达2W,平均门极耗散功率为0.1W,结到外壳的热阻为63℃/W,结到环境的热阻为140℃/W,依托TO-92标准直插封装的结构特性,常规FR4板自然散热场景下无需额外配置辅助散热结构,即可满足多数小功率负载的长期运行散热需求。
核心电气特性层面,BT169H的门极触发电流最大值仅200μA,典型触发电流可低至50μA,门极触发电压最大值为0.8V,125℃高结温下的门极不触发电压最低阈值为2V,可有效屏蔽驱动端口的微小杂散信号干扰。在125℃高结温、断态电压540V、外接1kΩ门极下拉电阻的工况下,其临界断态电压上升率最低可达500V/μs,125℃外接220Ω下拉电阻的工况下换向临界断态电压上升率可达200V/μs,抗扰能力远超同功率等级常规单向可控硅,可极大降低强电磁干扰场景下的非预期误导通概率。器件典型开通时间为10μs,关断时间典型值为3μs,1A脉冲通态电流下的通态峰值电压最大值为1.35V,125℃高温下的阈值电压为0.93V、动态电阻0.34Ω,25℃下的断态漏电流最大值仅2μA,125℃高温环境下漏电流也能控制在0.2mA以内,维持电流最大值为5mA,闩锁电流最大值为3mA,可保证微电流控制回路的稳定过零关断,减少续流失控风险。
在实际适配场景中,BT169H依托其μA级低触发阈值与强抗干扰特性,可作为核心功率开关单元用于剩余电流动作保护器的脱扣驱动回路、美发直发器的温控功率控制回路、各类小型电子点火装置的触发控制回路,器件提供两种出货形态:散装1000只每袋、内盒10000只每盒、整箱50000只的散装出货模式,以及编带2000只每内盒、整箱20000只的编带出货模式,适配不同产能规模的传统直插生产线装配需求,广泛适配低功耗传感触发控制、小功率家用电子设备等各类对弱信号驱动能力和抗电磁干扰性能有明确要求的小功率单向控制方案。
为你推荐
-
瑞斯特(RST) LU012N10XD10-RST 100V/360A大电流MOSFET技术分析2026-09-19 22:21
产品型号: LU012N10XD10-RST -
瑞斯特(RST) LR175N25S10-RST 250V TOLL封装MOSFET技术分析2026-09-19 22:18
产品型号:LR175N25S10-RST -
瑞斯特(RST) LR052N10SML8-RST DFN5×6封装快恢复N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:16
产品型号:LR052N10SML8-RST -
瑞斯特(RST) LR046N10SM10-RST 超低栅电荷高频N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:14
产品型号:LR046N10SM10-RST -
瑞斯特(RST) LR048N10SM8-RST 100V/110A功率MOSFET参数解读2026-09-19 22:13
产品型号:LR048N10SM8-RST -
瑞斯特(RST) LR030N10SM3-RST TO-220封装100V N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:10
产品型号: LR030N10SM3-RST -
瑞斯特(RST) LR030N10SM0-RST TO-263-7封装100V MOSFET技术要点梳理2026-09-19 22:09
产品型号:LR030N10SM0-RST -
瑞斯特(RST) LR026N09XD10-RST 90V TOLL封装MOSFET技术解析2026-09-19 22:05
产品型号:LR026N09XD10-RST -
瑞斯特(RST) LR028N10SM10-RST 低密勒电容高速N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:03
产品型号:LR028N10SM10-RST -
瑞斯特(RST) LR020N10SM0-RST TO263-7封装100V功率MOSFET技术分享2026-09-19 21:59
产品型号:LR020N10SM0-RST
-
瑞斯特半导体顺利通过ISO 9001、14001、45001 三大管理体系认证2026-08-05 22:14
-
瑞斯特(RST)体系保障之销售与服务体系2026-06-30 22:02
-
瑞斯特(RST)体系保障之人力资源与文化体系2026-06-22 22:10
-
瑞斯特(RST)体系保障之供应链与制造体系2026-06-15 22:08
-
瑞斯特(RST)体系保障之研发与工程体系2026-06-12 22:16
-
避开红海,深耕蓝海:为什么瑞斯特半导体(RST)将“腰部客户”作为战略核心2026-06-12 22:13
-
瑞斯特RST四大核心经营理念2026-05-19 21:25
-
以精工智造,驱动产业效率,赋能美好生活:瑞斯特半导体的时代使命2026-05-15 08:22
-
于方寸之间,创造无限可能:瑞斯特半导体的破局之道2026-05-15 08:20
-
永不失联:瑞斯特半导体的信仰,亦是国产芯片的时代答卷2026-05-15 08:19