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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) BT151U-800C 12A TO-251单向可控硅技术解析

型号： BT151U-800C
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

BT151U-800C.pdf

--- 产品详情 ---


瑞斯特(RST) BT151U-800C是一款采用TO-251封装的12A通态电流等级单向可控硅器件，完全符合RoHS环保要求，器件具备大电流冲击负载耐受能力，核心特性为500V/μs的高温断态电压临界上升率耐受能力，强电磁抗扰表现突出，核心电气指标为800V重复断态与反向耐压、门极触发电流上限15mA，适配中小功率单向直流、交流控制场景的插针紧凑型布局需求。
核心电气与热性能层面，该器件壳温不超过63℃时通态有效值电流额定为12A，对应额定平均通态电流可达7.6A，10ms脉宽下非重复浪涌通态电流可达140A，8.3ms脉宽下非重复浪涌通态电流为154A，10ms脉宽下对应熔断I²t值为98A²s；125℃高温结温条件下，门极开路状态下断态电压临界上升率dV/dt最小值可达500V/μs，允许的通态电流临界上升率最低为150A/μs，非重复关断尖峰脉冲耐受电压最高可达0.5kV，门极峰值可耐受电流达4A，平均门极耗散功率上限为1W；热参数方面，结到壳的直流热阻为4℃/W，结到环境的直流热阻为120℃/W，适配常规FR4材质35μm铜厚印刷电路板的插装散热需求，存储与工作结温范围分别覆盖-40℃至150℃、-40℃至125℃，可支撑宽温域场景下的长期运行。
器件封装与加工特性适配主流工业产线，TO-251直插封装的引脚尺寸公差完全覆盖工业通用标准，定位精度适配传统波峰焊产线的插件固定要求；器件对应IEC 61000-4-5标准的浪涌测试电路参数已完成标定，配套指定2.5Ω串联电阻、13μH电感的标准负载模型可直接用于整机浪涌测试的参数参考；产品采用TO-251标准管式包装，单管装载量80pcs，单内盒容量4000pcs，单箱总载量20000pcs，适配传统直插器件手动插件、半自动产线供料的常规需求，无需额外定制特殊包装规格。
从实际落地的应用场景来看，该单向可控硅可直接用作直插式固态继电器内部的核心开关执行器件，完成紧凑型小体积固态继电器的功率回路通断控制；也适配摩托车点火电路、车载电源充电器、电动工具的功率控制回路，得益于500V/μs的超高断态dV/dt耐受能力，器件在电机启停、大电流通断的复杂电磁场景下依然能维持极低的非预期误触发概率，无需多器件并联扩流即可支撑12A级别的大电流单向负载场景，有效减少中小功率单向控制板的外围元件数量，适配直插布局的紧凑型电路板设计需求。

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