--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
瑞斯特(RST)推出的ACTT8X-800C0是一款面向强电磁干扰中功率交流控制场景的8A三端双向可控硅器件,采用符合RoHS规范的TO-220F全绝缘塑封封装,本体自带2000VRMS的额定绝缘耐压且已通过UL安规认证,器件内部原生集成TVS结构,可直接吸收符合IEC 61000-4-5标准定义的感性关断浪涌能量,省去传统可控硅方案所需的外围尖峰吸收元件,核心参数在8A通流能力基础上实现了800V级耐压与2500V/μs的超高临界断态电压上升率指标,兼顾中大功率带载能力、高温运行稳定性与电气安全冗余,为带散热安装需求的高抗扰中功率交流电路提供合规化的高可靠开关解决方案。
该器件的极限参数针对高负载强干扰连续运行场景做了充足设计冗余,额定有效值通态电流为8A,在外壳温度TC≤95℃的工况下可实现满额度通态电流稳定运行,重复断态峰值电压与重复反向峰值电压均达800V,存储结温覆盖-40℃至150℃,工作结温覆盖-40℃至125℃。其20ms全周期非重复浪涌通态峰值电流可达80A,16.6ms正弦全周期浪涌峰值电流为88A,10ms熔断工况对应的I2t参数为32A²s,临界通态电流上升率可达100A/μs,断态非重复峰值脉冲电压可达2.5kV,峰值门极电流最大为4A,峰值门极耗散功率可达10W,平均门极耗散功率为0.5W,结到外壳的热阻仅2.8℃/W,结到环境的热阻为60℃/W,无需额外加装绝缘垫片即可直接固定在金属散热部件上,大幅降低散热路径的热损耗,长时间高负载运行下可快速导出结区热量,避免热累积导致的器件失效。
核心电气特性层面,ACTT8X-800C0全三个触发象限的门极触发电流最大值均为25mA,全象限门极触发电压最大值为1V,125℃高结温下的门极不触发电压最低阈值为0.2V,工业级常规驱动端口即可稳定触发器件导通,无需增设额外的驱动放大电路。在125℃高结温、断态电压540V、门极开路的工况下,其临界断态电压上升率最低可达2500V/μs,抗扰能力远超同功率等级常规可控硅,可极大降低强工业电磁干扰场景下的非预期导通概率。器件典型开通时间为3μs,关断时间为30μs,断态钳位电压最低可达850V,ITM=10A脉冲工况下的通态峰值电压最大值为1.4V,阈值电压0.78V、动态电阻38mΩ,25℃下的断态漏电流最大值仅5μA,125℃高温环境下漏电流也能控制在0.5mA以内,待机状态下的功率损耗可维持在极低水平。
在实际适配场景中,ACTT8X-800C0可作为核心开关单元用于中大功率加热调节回路、常规中小功率感应电机的直接启动通断控制,依托其自带的2000VRMS绝缘耐压特性与超高抗瞬态干扰能力,适配强电磁工业环境下金属散热外壳无额外绝缘垫片的安装场景,降低整机装配复杂度的同时满足UL安规要求,可适配强干扰工况下的灯光调光装置、交流电机调速控制器等相位控制类场景,器件采用TO-220F直插封装,以管装50只每支、内盒1000只每盒、整箱5000只的模式出货,适配传统直插生产线的装配需求,广泛适配强电磁环境下的工业交流执行器、中大功率商用厨电与暖通主控板等各类对通流能力、绝缘性能和抗干扰性能有明确要求的中大功率交流控制方案。
为你推荐
-
瑞斯特(RST) LU012N10XD10-RST 100V/360A大电流MOSFET技术分析2026-09-19 22:21
产品型号: LU012N10XD10-RST -
瑞斯特(RST) LR175N25S10-RST 250V TOLL封装MOSFET技术分析2026-09-19 22:18
产品型号:LR175N25S10-RST -
瑞斯特(RST) LR052N10SML8-RST DFN5×6封装快恢复N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:16
产品型号:LR052N10SML8-RST -
瑞斯特(RST) LR046N10SM10-RST 超低栅电荷高频N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:14
产品型号:LR046N10SM10-RST -
瑞斯特(RST) LR048N10SM8-RST 100V/110A功率MOSFET参数解读2026-09-19 22:13
产品型号:LR048N10SM8-RST -
瑞斯特(RST) LR030N10SM3-RST TO-220封装100V N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:10
产品型号: LR030N10SM3-RST -
瑞斯特(RST) LR030N10SM0-RST TO-263-7封装100V MOSFET技术要点梳理2026-09-19 22:09
产品型号:LR030N10SM0-RST -
瑞斯特(RST) LR026N09XD10-RST 90V TOLL封装MOSFET技术解析2026-09-19 22:05
产品型号:LR026N09XD10-RST -
瑞斯特(RST) LR028N10SM10-RST 低密勒电容高速N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:03
产品型号:LR028N10SM10-RST -
瑞斯特(RST) LR020N10SM0-RST TO263-7封装100V功率MOSFET技术分享2026-09-19 21:59
产品型号:LR020N10SM0-RST
-
瑞斯特半导体顺利通过ISO 9001、14001、45001 三大管理体系认证2026-08-05 22:14
-
瑞斯特(RST)体系保障之销售与服务体系2026-06-30 22:02
-
瑞斯特(RST)体系保障之人力资源与文化体系2026-06-22 22:10
-
瑞斯特(RST)体系保障之供应链与制造体系2026-06-15 22:08
-
瑞斯特(RST)体系保障之研发与工程体系2026-06-12 22:16
-
避开红海,深耕蓝海:为什么瑞斯特半导体(RST)将“腰部客户”作为战略核心2026-06-12 22:13
-
瑞斯特RST四大核心经营理念2026-05-19 21:25
-
以精工智造,驱动产业效率,赋能美好生活:瑞斯特半导体的时代使命2026-05-15 08:22
-
于方寸之间,创造无限可能:瑞斯特半导体的破局之道2026-05-15 08:20
-
永不失联:瑞斯特半导体的信仰,亦是国产芯片的时代答卷2026-05-15 08:19