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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) ACT108W-600E 1A单路径触发双向可控硅技术解析

型号： ACT108W-600E
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

ACT108W-600E.pdf

--- 产品详情 ---


瑞斯特(RST) ACT108W-600E是一款采用SOT-223封装的1A通态电流等级双向可控硅器件，符合RoHS环保要求，器件内置TVS结构可直接吸收IEC 61000-4-5标准定义的感性关断浪涌能量，硬件层面屏蔽了正向信号触发路径，仅支持从门极引脚向外流出的负向电流完成触发，从底层结构上压缩了非预期误触发的工况范围，核心电气指标为600V重复断态耐压、II/III触发象限下统一10mA的门极触发电流，可覆盖基础通用交流开关场景的性能需求。
核心电气与热性能层面，该器件壳温不超过93℃时通态有效值电流额定为1A，20ms全周期正弦脉冲下非重复浪涌通态电流可达18A，16.6ms脉宽下非重复浪涌通态电流为19.8A，10ms脉宽下对应熔断I²t值为1.62A²s；125℃高温结温、门极开路条件下，器件断态电压临界上升率dV/dt最小值可达120V/μs，允许的通态电流临界上升率最低为0.6A/ms，非重复关断尖峰脉冲耐受电压最高可达4.5kV，典型钳位电压最低800V；热参数方面，结到壳的交流热阻为25℃/W，结到环境的交流热阻为150℃/W，适配常规FR4材质35μm铜厚印刷电路板的贴装散热需求，支撑常规负载下的长时间稳定运行。
器件封装与加工特性适配主流工业产线，SOT-223封装的引脚尺寸公差完全覆盖工业通用标准，定位精度适配常规SMD贴装设备的拾取定位要求；无铅回流焊接流程中，150℃至200℃的预热区间需控制在60s到180s，平均升温速率不超过3℃/s，峰值温度上限不超过260℃且允许偏差0℃至-5℃，217℃液相线以上的高温停留时长控制在60s至150s区间即可，完全兼容通用批量贴片产线的常规回流工艺；产品采用13英寸编带卷盘包装，单卷载量4000pcs，单箱总载量40000pcs，可适配自动化产线连续供料的常规需求。
从实际落地的应用场景来看，该双向可控硅可直接用作中小功率交流回路的通断执行器件，比如采暖设备的功率通断调节、小型感应电机的启动回路控制；也可用于基础相位控制类功能实现，例如民用灯光调光电路、小型交流电机的转速控制器件选型，得益于仅支持负向门极电流触发的硬件设计，器件在常规民用、商用场景下的误触发概率进一步降低，搭配内置的TVS浪涌吸收结构，整机无需额外增设外围浪涌吸收元件即可通过IEC 61000-4-5标准的浪涌测试，有效减少整机外围元件数量，压缩中小功率交流控制板的布板占用面积。

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