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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) ACST210-8B 2A TRIAC 技术特性与应用技术解析

型号： ACST210-8B
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

ACST210-8B.pdf

--- 产品详情 ---

瑞斯特（RST）的ACST210-8B是一款面向高抗干扰需求的2A三端双向可控硅器件，采用符合RoHS规范的TO-252表面贴装封装，器件内置集成TVS结构，可直接吸收符合IEC 61000-4-5标准的感性关断浪涌能量，省去常规可控硅外围需额外配置的感性尖峰吸收元件，整体设计针对高耐压、超高抗电压变化率场景优化，核心参数适配宽温工业与民用交流控制的复杂工况，为2A等级交流开关电路提供高可靠性的紧凑化解决方案。
该器件的极限参数针对严苛工业工况做了专项冗余设计，额定有效值通态电流为2A，重复断态峰值电压与重复反向峰值电压均达800V，工作结温覆盖-40℃至125℃的宽温区间，在外壳温度TC≤107℃的工况下可实现满额度通态电流稳定运行。其非重复20ms周波浪涌通态峰值电流可达25A，对应10ms熔断工况的I2t参数为3.125A²s，最大临界通态电流上升率可达100A/μs，峰值非重复断态脉冲电压为4.5kV，结到外壳的热阻仅6.5℃，在高负载长时间运行时可快速导出结区热量，避免热累积导致的器件失效。
核心电气特性层面，ACST210-8B全三个触发象限的门极触发电流最大值均为10mA，25℃结温下的通态峰值电压最大为1.5V，125℃高结温、断态电压540V、门极开路工况下的临界断态电压上升率最低可达900V/μs，远高于同功率等级常规可控硅的抗扰阈值，可大幅降低工业现场复杂电磁环境下的非预期导通概率。其典型开通时间为2.5μs、关断时间为25μs，全象限触发的阈值门极电压最大值为1V，可直接被常规3.3V/5V单片机I/O口驱动，无需增设额外的门极驱动放大电路。
在实际适配场景中，ACST210-8B可作为硬开关控制单元用于高干扰工业环境下的加热调节回路、小功率单相感应电机的启动与通断控制，依托其超高抗dV/dt的特性，适配对电磁兼容要求严苛的商用灯光调光装置、工业小型电机调速控制器等相位控制场景，TO-252贴装封装适配全自动化SMT生产流程，可直接与PCB板铜箔散热层紧密贴合，在紧凑化的控制板布局中也能保证良好的散热性能，广泛适配家电主控、小型工业交流执行器等各类高可靠性要求的中小功率交流控制方案。

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