--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
WCR03-12WM是瑞斯特推出的小电流等级敏感型单向可控硅器件,采用符合RoHS规范的SOT-223表贴封装,核心特性围绕超高耐压、低触发阈值与强电磁干扰抗性设计,全技术手册覆盖基础特性说明、全工况额定边界、静态与动态电气参数、热阻指标、特性测试曲线、IEC浪涌标准适配回路、封装机械尺寸与卷带包装规范等全维度技术内容,所有标定结果均经过标准化工况测试验证,可为小型化开关控制场景的电路设计提供准确的参数参考依据。
该器件的绝对最大额定值明确了全工况使用边界:其重复断态峰值电压与重复反向峰值电压均为1200V,壳温不超过66℃时平均通态电流可达0.8A,通态均方根电流上限为1.25A,工作结温覆盖-40℃至110℃,存储温度区间为-40℃至150℃。脉冲耐受性能层面,10ms脉宽下的非重复浪涌通态电流为20A,8.3ms脉宽下的非重复浪涌通态电流可达22A,10ms脉宽下的熔断I2t值为2A²s,临界通态电流上升率在IG=2×IGT、100Hz、结温110℃测试条件下可达100A/μs,允许峰值门极脉冲电流最高1A,门极平均耗散功率上限为0.1W,峰值门极耗散功率可达2W。热阻参数上,结到壳的直流热阻为25℃/W,结到环境的直流热阻为130℃/W,配套的七组特性曲线包含最大功耗与通态电流对应关系、通态电流随壳温与环境温度的双维度约束规律、浪涌电流循环耐受特性、通态伏安特性、不同脉宽下浪涌电流与I2t的对应关系,以及门极、擎住、维持电流随结温的偏移规律,可支撑不同极端工况下的参数校核。
器件的电气特性针对小型化高压低触发场景做了针对性优化,门极最大触发电流控制在200μA,门极触发电压上限为0.8V,110℃高温下断态门极关断电压不低于0.2V,擎住电流最大值为4mA,维持电流不超过3mA。其110℃结温、RGK=1kΩ条件下的断态电压临界上升率可达1000V/μs,RGK=220Ω时仍可维持50V/μs的指标表现,断态非重复峰值脉冲电压在25℃结温下可达1kV,配套的测试回路完全符合IEC-61000-4-5抗扰标准定义的1.2/50μS电压浪涌、8/20μS电流浪涌测试要求,开通时间典型值为2μs,关断时间最大值为50μs。SOT-223封装的所有机械尺寸均标注了毫米级与英寸级的双重公差范围,配套PCB焊盘也给出了明确的毫米级参考尺寸,卷带包装单卷器件容量为4000只,单箱装量可达40000只,适配常规高密度SMT贴片加工流程,无铅回流焊参数也做了明确的升降温速率、峰值温度限定,避免焊接过程对器件性能造成损伤。
WCR03-12WM的特性参数适配多类小型化低触发需求的开关场景,低门极触发电流的属性可直接适配剩余电流动作断路器的微弱信号触发回路,省去额外的信号放大电路,强抗电磁干扰的特性适配直发类小家电的加热控制开关,同时也可作为小型点火器的核心功率开关元件,在各类空间受限、对触发灵敏度与耐压等级要求较高的小功率开关场景下具备稳定的工况适配能力。
为你推荐
-
瑞斯特(RST) LU012N10XD10-RST 100V/360A大电流MOSFET技术分析2026-09-19 22:21
产品型号: LU012N10XD10-RST -
瑞斯特(RST) LR175N25S10-RST 250V TOLL封装MOSFET技术分析2026-09-19 22:18
产品型号:LR175N25S10-RST -
瑞斯特(RST) LR052N10SML8-RST DFN5×6封装快恢复N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:16
产品型号:LR052N10SML8-RST -
瑞斯特(RST) LR046N10SM10-RST 超低栅电荷高频N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:14
产品型号:LR046N10SM10-RST -
瑞斯特(RST) LR048N10SM8-RST 100V/110A功率MOSFET参数解读2026-09-19 22:13
产品型号:LR048N10SM8-RST -
瑞斯特(RST) LR030N10SM3-RST TO-220封装100V N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:10
产品型号: LR030N10SM3-RST -
瑞斯特(RST) LR030N10SM0-RST TO-263-7封装100V MOSFET技术要点梳理2026-09-19 22:09
产品型号:LR030N10SM0-RST -
瑞斯特(RST) LR026N09XD10-RST 90V TOLL封装MOSFET技术解析2026-09-19 22:05
产品型号:LR026N09XD10-RST -
瑞斯特(RST) LR028N10SM10-RST 低密勒电容高速N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 22:03
产品型号:LR028N10SM10-RST -
瑞斯特(RST) LR020N10SM0-RST TO263-7封装100V功率MOSFET技术分享2026-09-19 21:59
产品型号:LR020N10SM0-RST
-
瑞斯特半导体顺利通过ISO 9001、14001、45001 三大管理体系认证2026-08-05 22:14
-
瑞斯特(RST)体系保障之销售与服务体系2026-06-30 22:02
-
瑞斯特(RST)体系保障之人力资源与文化体系2026-06-22 22:10
-
瑞斯特(RST)体系保障之供应链与制造体系2026-06-15 22:08
-
瑞斯特(RST)体系保障之研发与工程体系2026-06-12 22:16
-
避开红海,深耕蓝海:为什么瑞斯特半导体(RST)将“腰部客户”作为战略核心2026-06-12 22:13
-
瑞斯特RST四大核心经营理念2026-05-19 21:25
-
以精工智造,驱动产业效率,赋能美好生活:瑞斯特半导体的时代使命2026-05-15 08:22
-
于方寸之间,创造无限可能:瑞斯特半导体的破局之道2026-05-15 08:20
-
永不失联:瑞斯特半导体的信仰,亦是国产芯片的时代答卷2026-05-15 08:19