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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) TYN610RG大电流耐受单向可控硅技术特性梳理

型号: TYN610RG
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

TYN610RG是瑞斯特(RST)推出的10A规格单向可控硅,采用TO-220C直插封装,完全符合RoHS环保规范,全参数体系覆盖5页规格文档定义的极限参数、交直流电气特性、热性能、曲线参考、封装机械规范与量产交付指标,核心设计面向大电流冲击耐受能力优化,同时保留1000V/μs级别的高dV/dt抗电磁干扰特性,工作结温覆盖-40℃至125℃区间,存储结温区间扩展至-40℃到150℃,适配频繁面临大电流冲击的中功率交流开关控制场景。

该器件核心参数适配大电流冲击与高抗扰的双重需求:额定通态有效值电流10A,平均通态电流在壳温不超过106℃时可达6.5A,重复断态峰值电压与反向峰值电压均为600V,门极触发电流上限控制在10mA。动态性能表现突出,125℃高温下断态电压临界上升率最低可达1000V/μs,125℃结温下通态电流临界上升率可达100A/μs;10ms脉宽下非重复浪涌通态峰值电流为110A,对应熔断I²t值为61A²s,8.3ms脉宽下浪涌峰值电流可达120A,可耐受短时间的超大电流冲击;热性能层面,器件结到壳的直流热阻为1.4℃/W,结到环境的直流热阻为55℃/W,配合常规散热片即可实现高效导热。静态特性中20A测试条件下通态峰值电压最大为1.55V,阈值电压0.772V,动态导通电阻仅为26.5mΩ,25℃环境下断态漏电流仅5μA,125℃高温下漏电流也仅为0.2mA,有效降低高温运行时的待机损耗,器件性能完全兼容IEC-61000-4-5浪涌抗扰标准要求。

凭借大电流冲击耐受与高抗扰的核心特性,该器件适配的应用场景均面向频繁面临瞬时大电流冲击的通用控制场景:第一类是中小功率固态继电器的主开关回路,可耐受负载启停时的瞬时大电流冲击,避免器件在频繁通断工况下发生失效;第二类是摩托车电启动的触发控制回路,适配启动瞬间电机的大电流启动冲击,保障启停控制的稳定性;第三类是各类中小功率电源充电器的交流输入控制回路,抵御电网侧的各类浪涌脉冲干扰,同时耐受负载接入瞬间的充电电流冲击;此外也可适配各类电动工具的交流主控制回路,在电机频繁启停的工况下长期可靠运行。

器件的机械与交付参数完全标准化,TO-220C封装的所有机械尺寸公差均以毫米、英寸双单位在规格文档中明确标注,配套对应的插装焊盘参考设计,采用管式包装,单管可容纳50只器件,内盒容量为1000只,整箱最大交付量为5000只,无需额外定制特殊包装即可直接对接常规自动化插装产线,满足中小批量到大规模量产的全阶段供料需求。

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