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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) TS1220-6FP高抗扰绝缘型灵敏单向可控硅技术特性解析

型号: TS1220-6FP
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

TS1220-6FP是瑞斯特(RST)推出的12A规格灵敏型单向可控硅,采用全绝缘TO-220F封装,符合UL 2000VRMS绝缘认证标准与RoHS环保规范,全参数体系覆盖5页规格文档定义的极限参数、全温区电气特性、热性能、机械封装规范与量产交付指标,核心设计偏向高dV/dt抗电磁干扰能力优化,工作结温区间为-40℃至110℃,存储结温区间扩展至-40℃至150℃,适配需要微触发、高抗扰的中功率交流精密控制场景。

器件核心参数兼顾微触发能力与强抗扰表现:额定通态有效值电流为12A,壳温不超过65℃时平均通态电流可达7.5A,重复断态峰值电压与反向峰值电压均为800V,门极触发电流上限控制在200μA,属于微触发灵敏规格。动态性能层面,常温下断态电压临界上升率最高可达1500V/μs,110℃高结温下通态电流临界上升率仍可达100A/μs;10ms脉宽非重复浪涌通态峰值电流为120A,对应熔断I²t值为72A²s,8.3ms脉宽下浪涌峰值电流提升至130A,可耐受短时间大电流冲击。热性能上结到壳的直流热阻为2.8℃/W,结到环境的直流热阻为80℃/W,配合常规散热片即可实现稳定导热;静态特性中24A测试条件下通态峰值电压最大1.6V,阈值电压0.9V,动态导通电阻仅为0.02Ω,25℃环境下断态漏电流仅5μA,110℃高温下漏电流也仅为0.5mA,适配IEC-61000-4-5浪涌抗扰标准的测试要求,可耐受电网侧的常规脉冲电压干扰。

依托微触发、高抗扰的核心设计优势,该器件适配的应用场景均面向对触发灵敏度、电磁耐受能力要求较高的中功率精密控制类场景:第一类是中功率剩余电流动作断路器的脱扣触发回路,仅需极小的采样电流即可驱动器件导通,带动脱扣机构快速完成分闸动作,同时避免电网侧电磁干扰引发的误脱扣问题;第二类是大功率直发器具的发热功率调节回路,可在发热丝高电磁干扰的运行环境下稳定触发,不会出现导通失效的异常情况;第三类是中功率工业高压点火器的驱动回路,微弱的前端采样信号即可完成器件触发,稳定驱动高压点火线圈完成点火动作。

该器件的机械与交付参数完全标准化,TO-220F封装的所有尺寸公差均已在规格文档中以毫米、英寸双单位明确标注,采用管式包装,单管容量为50只,内盒可容纳1000只器件,单箱最大交付量为5000只,可直接适配传统插装产线的组装流程,无需额外调整供料机构即可完成批量生产作业。

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