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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) T835H-8I宽温绝缘型双向可控硅技术特性梳理

型号: T835H-8I
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

T835H-8I是瑞斯特(RST)推出的8A规格TO-220A封装双向可控硅,内置陶瓷绝缘衬垫,符合UL 2500VRMS绝缘认证要求与RoHS环保规范,全参数体系覆盖5页规格文档定义的极限参数、全温区电气特性、热性能、封装机械规范与量产交付指标,核心优势为在150℃高结温下仍保持可靠的开关能力,工作与存储结温覆盖-40℃至150℃区间,适配长期处于高温工况的中功率交流控制场景。
器件核心参数经过宽温环境专项优化:额定通态有效值电流为8A,壳温不超过118℃时可长期连续运行,重复断态峰值与反向峰值电压均为800V,I/II/III三个象限的门极触发电流最大值统一为35mA。动态性能层面,150℃高温下断态电压临界上升率最低可达1000V/μs,150℃下换向临界电压上升率最低为5V/μs,通态电流临界上升率在150℃高温下仍能达到100A/μs;20ms全周期非重复浪涌峰值通态电流为80A,16.6ms脉宽下浪涌电流达88A,10ms熔断脉宽对应的I²t值为32A²s;热性能上结到壳交流热阻为3℃/W,结到环境交流热阻为60℃/W,配合常规散热片即可实现高温工况下的稳定导热。静态特性中11A测试条件下通态峰值电压最大1.4V,阈值电压0.79V,动态导通电阻51mΩ,25℃环境下断态漏电流仅5μA,150℃高温下漏电流也仅为1.5mA,有效降低高温长期运行的待机损耗,器件测试回路完全兼容IEC-61000-4-5浪涌抗扰标准要求。
依托高结温耐受与内置绝缘的核心特性,该器件适配的应用场景均面向长期高温运行的通用交流控制类场景:第一类是工业级加热调节回路,用于长时间高负载运行的加热装置的功率通断或相位调节,无需额外绝缘垫片即可直接安装在金属散热底板上;第二类是小功率工业感应电机的启动切换回路,适配电机运行时的机身高温环境,避免普通可控硅在高温下触发失效的问题;第三类是高温环境下的灯光调光、电机调速控制器,可在密闭通风较差的工控机箱内长期稳定运行,耐受高温工况下的各类应力冲击。
器件的机械与交付参数完全标准化,TO-220A封装的所有尺寸公差均已在规格文档中明确标注,采用管式包装,单管容量为50只,内盒可容纳1000只器件,单箱最大交付量为5000只,可直接适配传统插装产线的组装流程,无需额外调整供料机构即可完成批量生产作业。

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