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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) NCR125W-125M灵敏型可控硅技术特性详解

型号: NCR125W-125M
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---


NCR125W-125M是瑞斯特(RST)推出的1.25A规格高抗扰灵敏型单向可控硅,采用SOT-223贴片封装,完全符合RoHS环保规范,全参数体系覆盖8页规格文档定义的极限参数、全场景电气特性、热性能、机械封装与量产交付指标,专门面向高电磁干扰工况优化设计,可在-40℃至110℃的正常工作结温区间内稳定运行,存储温度范围扩展至-40℃到150℃,适配对触发灵敏度要求较高的中小功率精密开关控制场景。

该器件核心参数适配灵敏触发与高抗扰的双重需求:额定通态有效值电流为1.25A,平均通态电流在壳温不超过66℃时可达0.8A,重复断态峰值电压与反向峰值电压均达到1200V,门极触发电流最高仅200μA,属于微触发规格器件。动态性能表现突出,断态电压临界上升率最高可达1500V/μs,在同电流等级的单向可控硅中具备极强的抗电磁干扰能力;10ms脉宽下非重复浪涌通态峰值电流为20A,对应熔断I²t值为2A²s,8.3ms脉宽下浪涌峰值电流可达22A;通态电流临界上升率可达100A/μs,可耐受短时间大电流的快速导通冲击。热性能层面,器件结到壳的直流热阻为25℃/W,结到环境的直流热阻为130℃/W,在FR4材质35μm铜厚的PCB布局下可实现稳定的散热效果;静态特性中1.5A测试条件下通态峰值电压最大为1.45V,高温125℃环境下断态漏电流仅0.15mA,有效降低高温运行时的待机损耗,同时完整规范了符合无铅要求的回流焊温度曲线参数,峰值最高焊锡温度不超过260℃,适配常规SMT产线的贴片工艺。

得益于其微触发、高dV/dt抗扰的核心特性,该器件的适配应用场景均面向对触发灵敏度、抗电磁干扰要求较高的精密开关类场景:第一类是剩余电流动作断路器的脱扣触发回路,仅需极小的采样信号即可触发器件导通,驱动脱扣机构快速动作,同时可耐受电网侧的各类脉冲干扰避免误触发;第二类是民用直发类发热器具的点火控温回路,利用高抗扰特性适配发热丝工作时的电磁干扰环境,稳定完成导通调节;第三类是各类小型高压点火器的驱动回路,微触发的特性可匹配前端微弱的采样信号,稳定驱动点火线圈完成高压点火动作。

该器件的机械与交付参数完全标准化,SOT-223封装的所有机械尺寸公差均已明确标注,配套对应的PCB焊盘参考设计,采用13英寸卷带包装,单卷额定供料数量为4000只,单箱可容纳40000只器件,无需额外定制特殊包装即可直接对接常规自动化SMT贴装产线,满足中小批量到大规模量产的全阶段供料需求。

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