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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) BTA16-800SW 16A双向可控硅技术特性解析

型号： BTA16-800SW
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

BTA16-800SW.pdf

--- 产品详情 ---

BTA16-800SW是瑞斯特推出的一款16A电流等级的无缓冲双向可控硅器件，采用TO-220A封装并通过UL绝缘认证，核心面向通用交流开关场景设计，支持直接由MCU I/O端口驱动，器件全系列参数覆盖额定耐压、热学特性、电气阈值、封装规范等完整技术维度，无冗余附加设计，所有标定指标均经过标准化工况测试验证，可为后续电路适配提供明确的参数参考边界。

该器件的绝对最大额定值体系明确了全工况的使用边界：其重复断态峰值电压与重复反向峰值电压均为800V，壳温不超过102℃时通态均方根电流可达16A，结温覆盖-40℃至125℃，存储温度区间则扩展至-40℃至150℃。在脉冲耐受性能层面，20ms全周期下的非重复浪涌通态电流为160A，对应I2t熔断值为128A²s，临界通态电流上升率可达50A/μs，峰值门极脉冲电流允许4A输入。热阻参数上，结到壳的交流热阻为1℃/W，结到环境的交流热阻为60℃/W，配套的多组特性曲线包含通态电流与壳温对应关系、浪涌电流循环耐受规律、门极触发参数随结温的偏移特性等，可直接用于不同工况下的电路参数校核。

器件的电气特性针对复杂电网环境做了针对性优化，1、2、3所有象限的门极最大触发电流均控制在10mA，门极触发电压上限为1V，125℃高温下断态门极维持电压不低于0.2V，1象限与3象限的擎住电流最大为25mA，2象限擎住电流上限为30mA，维持电流不超过15mA。其断态电压临界上升率在125℃条件下可达400V/μs，配套无缓冲设计可直接适配感性负载场景，无需额外外接缓冲电路，同时器件内置陶瓷绝缘垫实现2500VRMS的绝缘耐压，符合UL相关安全标准，TO-220A封装的全尺寸公差、包装规格均有明确标定，适配常规通孔加工流程。

BTA16-800SW的特性参数适配多类交流开关控制场景，通用交流通断功能可用于各类加热调压回路，支持调光器、电机调速器的相位控制操作，其无缓冲的设计特性尤其适配交流感应电机启动这类感性负载场景，低门极触发电流的属性可实现与MCU I/O口的直驱，省去额外的驱动放大电路，在中小功率交流控制场景下具备良好的工况适配性。

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