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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) BT151S-650S 敏感型可控硅技术解析

型号: BT151S-650S
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

BT151S-650S是瑞斯特推出的一款额定通态均方根电流8A的敏感型可控硅器件,采用符合RoHS要求的TO-252封装,器件核心特性围绕高抗电磁干扰性能与优异的dv/dt耐受能力设计,面向工业与消费类电子的小电流开关场景优化,相关参数均通过标准化测试完成标定,器件全工作周期的性能指标形成了完整的技术指标体系,可为下游电路设计提供明确的参数参考依据。

该器件的核心电气与热学参数形成了完整的设计支撑边界,其重复断态峰值电压与重复反向峰值电压均为800V,门极触发电流最大值控制在200μA以内,属于低触发电流的敏感型SCR品类。在绝对最大额定值层面,其存储结温范围为-40℃至150℃,工作结温覆盖-40℃至110℃,壳温不超过55℃时平均通态电流可达5A,非重复浪涌通态电流在10ms脉宽、结温25℃条件下为80A,对应的I2t值为32A²s,临界通态电流上升率可达100A/μs。热阻参数方面,结到壳的直流热阻为5℃/W,结到环境的直流热阻为120℃/W,配套的全系列特性曲线包括不同壳温、环境温度下的通态电流变化规律,浪涌电流与循环次数的对应关系,以及门极参数随结温的偏移特性,可帮助设计人员在不同工况下快速完成参数校核。

器件的附加特性与工艺规范进一步保障了应用可靠性,其断态非重复峰值脉冲电压在结温25℃条件下可达0.5kV,断态电压临界上升率在指定测试条件下不低于5V/μs,开通与关断时间分别最大为2μs与70μs。静态特性中,通态峰值电压在16A测试条件下最大值为1.6V,断态与反向漏电流在结温25℃时仅为5μA,110℃高温下的漏电流指标也控制在0.5mA以内。无铅回流焊的焊接工艺明确限定了温度区间、升降温速率与峰值温度上限,避免焊接过程对器件结构造成损伤,配套的TO-252封装机械尺寸与对应焊盘参数也给出了精准的毫米级公差范围,适配常规PCB的表贴加工流程。

BT151S-650S的产品特性适配多类细分应用场景,高抗电磁干扰与高dv/dt耐受的特性使其可在剩余电流断路器中稳定完成电流检测后的开关触发动作,低门极触发电流的属性适配直发类小家电的加热丝控温开关需求,同时也可作为小型点火器的核心功率开关元件,在燃气类小型器具的控制回路中完成高效的通断控制,在上述小功率开关场景下均可体现其敏感触发、高可靠性的技术优势。

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