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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) RSTPB303GU 30V双N沟道半桥集成超级沟槽功率MOSFET技术解析

型号： RSTPB303GU
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

RSTPB303GU.pdf

--- 产品详情 ---

瑞斯特(RST)推出的RSTPB303GU是依托专属优化Super Trench超级沟槽工艺开发的30V级半桥集成双N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5X6-8L高密度贴片封装，内部集成专门适配半桥拓扑的高侧Q1管与低侧Q2管，高侧管主打平衡的开关导通特性，低侧管则以优化极低导通内阻表现为核心，整体栅极电荷与导通内阻乘积FOM品质因数表现优异，全批次完成100% UIS雪崩测试与100% ΔVds特性校验，器件无铅镀层满足RoHS无卤环保合规要求，支持最高150℃的连续工作结温，专门针对紧凑型DC/DC高频拓扑场景完成定向特性优化。

该集成半桥器件的极限参数与直流特性可支撑30V级电压场景下的半桥大电流严苛运行工况，高侧Q1管25℃环境下连续漏极电流为30A，100℃高温工况下仍可维持21A连续电流输出，低侧Q2管25℃环境下连续漏极电流可达100A，100℃高温下额定电流仍可保持70A水平；高侧管10V栅压下最大导通内阻仅5.8mΩ，4.5V栅压下最大导通内阻8.9mΩ，低侧管10V栅压下最大导通内阻仅1.9mΩ，4.5V栅压下最大导通内阻2.8mΩ，高低侧管匹配的导通电阻特性可适配不同开关路径的损耗管控需求。高侧管结到壳热阻典型值3.3℃/W，低侧管结到壳热阻典型值1.2℃/W，大电流运行时内部热量可快速向外导出，关断状态下两管30V漏偏压下漏极漏电流最大值仅1μA，栅极±20V偏压下高侧管栅极漏电流最大值仅±100nA，低侧管栅极漏电流最大值仅±10μA，静态损耗处于极低水平。

动态特性与体二极管相关指标中，15V漏源电压、1.0MHz频率测试条件下，高侧管输入电容典型值822pF，输出电容典型值344pF，反向传输电容典型值15.3pF，低侧管输入电容典型值3370pF，输出电容典型值902pF，反向传输电容典型值60pF。15V母线对应额定电流驱动工况下，高侧管总栅极电荷典型值15nC，低侧管总栅极电荷典型值55nC，搭配优化的开关时序参数，同步整流路径的开关损耗得到针对性控制。两管内置体二极管正向压降最大值均为1.2V，分别可承载30A、100A的正向续流电流，反向恢复损耗处于可控水平，所有脉冲类特性测试均严格遵循脉宽≤300μs、占空比≤2%的标准条件完成标定，保障所有参数的参考严谨性。

该款集成半桥MOSFET的核心适配场景集中在紧凑型DC/DC转换器应用中：依托双管单芯片的集成设计，大幅压缩同步降压功率级的板级器件占用空间，省去外置双管的布局走线优化成本，在小体积高密度供电电路中实现更高的功率转换效率，适配小型工业控制板、服务器板载供电模块、便携大功率电源系统的30V级半桥同步降压功率电路设计需求，在紧凑布局下支撑大电流高效稳定输出。

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