瑞斯特(RST) RSTP0218G是依托专属优化Super Trench超级沟槽工艺开发的无铅N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5X6-8L高密度贴片封装，核心标定参数为漏源额定电压200V、25℃环境下连续漏极电流18A，通过针对性工艺调校实现了极低导通内阻与栅极电荷的平衡组合表现，栅极电荷与导通内阻的乘积FOM品质因数表现优异，全器件完成100% UIS单脉冲雪崩测试与100% ΔVds特性校验，无铅镀层满足无卤环保合规要求，支持最高150℃的连续工作结温，定向针对200V级中高压高频开关与同步整流场景完成专项特性优化。
该器件的极限参数与直流特性可支撑200V级中高压场景下的大电流严苛运行工况，25℃条件下脉冲漏极电流最高可达72A，最大耗散功率为105W，100℃高温环境下连续漏极电流仍可维持12.6A水平，单脉冲雪崩能量耐受值可达180mJ，工作结温与存储温度覆盖-55℃至150℃的宽温区间，结到壳的热阻仅1.2℃/W，大电流持续运行时内部热量可快速向外导出，避免结温超限。导通内阻表现上，栅源电压10V、漏极电流18A的测试条件下典型导通内阻仅70mΩ，最大值不超过80mΩ；其漏源击穿电压最低值为200V，栅极阈值电压处于2.5V至4.5V区间内，正向跨导典型值可达15S，常规驱动电平下即可快速进入完全导通状态，有效压低导通阶段的功率损耗。关断状态下200V漏偏压、零栅压条件下漏极漏电流最大值仅1μA，栅极±20V偏压下的漏电流最大值仅±100nA，静态损耗处于极低水平。
动态特性与体二极管相关指标中开关类参数通过设计保障性能稳定，100V漏源电压、1.0MHz频率的测试条件下，器件输入电容典型值951pF，输出电容典型值82pF，反向传输电容典型值2pF。在VDD=100V、ID=18A、栅源驱动电压10V、驱动电阻3Ω的开关测试条件下，开通延迟时间典型值6nS、开通上升时间典型值7nS、关断延迟时间典型值15nS、关断下降时间典型值4nS；100V漏源电压、18A漏极电流、10V栅压条件下总栅极电荷典型值18nC，其中栅源电荷典型值7.5nC、栅漏电荷典型值4.6nC，极低的栅漏电荷特性有效降低了开关过程的驱动损耗，适配中高压高频运行需求。其内置体二极管的正向压降最大值为1.2V，连续正向电流可达18A，反向恢复时间典型值30nS，反向恢复电荷典型值125nC，续流阶段的反向恢复损耗处于可控水平。所有脉冲类特性测试均严格遵循脉宽≤300μs、占空比≤2%的标准条件完成标定，保障所有参数的参考严谨性。
该款高FOM表现的200V级中高压高密度贴片MOSFET的核心适配两类典型功率链路：首先是DC/DC转换器应用场景，依托极低的导通内阻与开关损耗组合表现，支撑200V级中高压中小功率高频拓扑实现超高转换效率，大幅降低中高压工况下的额外热损耗；其次是高频开关与同步整流应用场景，依托DFN5X6封装紧凑的板级占用空间，在中高压高效同步整流链路中作为核心整流元件，在小体积板卡布局下实现稳定的中电流整流管控，适配高密度工业电源、中小功率高压服务器供电模块的200V级贴片功率电路设计需求。
