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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) RST3055 N沟道增强型功率MOSFET技术解析

型号： RST3055
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

RST3055.pdf

--- 产品详情 ---


瑞斯特(RST) RST3055是采用先进沟槽工艺研制的N沟道增强型功率MOSFET，为无铅环保器件，采用SOT-89-3L表贴封装，核心基础参数为漏源额定电压60V，25℃下连续漏极电流3A，专门针对低导通阻抗、低栅极电荷特性做了优化，可在低至2.5V的栅极驱动电压下正常工作，整体参数排布适配中小电流低压控制类电路的基础性能需求。

核心电性参数层面，该器件的通态损耗控制在较低水平，栅极驱动电压为10V时，漏源导通阻抗最大值小于100mΩ，当驱动电压降至4.5V的低电平工况下，导通阻抗最大值也仅为120mΩ，足够适配常规逻辑电平直接驱动的场景。关断特性方面，其漏源击穿电压最小值为60V，零栅压下漏极漏电流最大值仅为1μA，栅极阈值电压分布在1.0V到2.0V区间，栅极体漏电流被控制在±100nA以内，低泄漏的特性也能有效降低待机工况下的额外功耗。动态特性上，该器件的总输入电容典型值为247pF，输出电容典型值34pF，反向传输电容典型值19.5pF，总栅极电荷典型值仅6nC，开关全程的延迟、上升与下降时间均控制在十多纳秒的区间内，开关过程的动态损耗处于较低水平。

极限参数与热特性维度，该器件栅源电压的额定耐受范围为±20V，脉冲漏极电流可达10A，25℃环境下最大耗散功率为1.7W，结温超过25℃后按照对应系数线性降额，工作结温与存储温度覆盖-55℃至150℃的宽温区间，结到环境的热阻为73.5℃/W。器件的源漏二极管正向压降最大值为1.2V，反向续流额定电流与连续漏极电流一致为3A，所有脉冲测试相关的参数结果均在脉宽不超过300μs、占空比不超过2%的条件下测得，保证了极限参数的参考严谨性。

该器件的典型应用场景集中在中小电流的低压功率链路中，首先可作为电池保护回路的核心开关器件使用，依托低导通阻抗与低驱动电压适配锂电池、数码设备电池组的保护板场景；其次可接入小型DC/DC转换器的功率路径，凭借小体积表贴封装适配空间受限的板级小功率供电模块，实现小型设备内部的电压转换功能。

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