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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) RST3050K N沟道增强型功率MOSFET技术全解析

型号： RST3050K
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

RST3050K.pdf

--- 产品详情 ---


瑞斯特(RST)推出的RST3050K是依托先进沟槽工艺开发的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2L封装，核心标定参数为漏源额定电压30V、25℃环境下连续漏极电流50A，通过高密度元胞结构设计实现了导通内阻与栅极电荷的特性平衡，全批次产品完成100% UIS单脉冲雪崩测试与全量ΔVds测试，特殊工艺加持的高ESD防护能力搭配优化过的封装散热结构，器件的工作稳定性与参数一致性均经过严格标定，适配各类低压大电流功率场景的使用需求。

该器件的极限参数与直流特性可覆盖多种严苛工况的使用要求，25℃环境下其脉冲漏极电流最高可达200A，最大耗散功率为60W，结温与存储温度的工作区间覆盖-55℃至175℃。导通内阻表现上，栅源电压10V条件下最大导通内阻仅11mΩ，典型值低至8mΩ，栅源电压降至4.5V时最大导通内阻为16mΩ，典型值可到10mΩ，漏源击穿电压典型值可达33V，栅极阈值电压控制在1V至3V区间内，搭配仅2.5℃/W的结壳热阻，可在大电流持续运行时快速导出内部热量，降低器件热堆积风险。

动态特性与体二极管相关指标同样经过全维度规范标定，在15V漏源电压、20A漏极电流的标准测试条件下，器件开通延迟时间典型值为10nS、开通上升时间典型值为8nS、关断延迟时间典型值为25nS、关断下降时间典型值为5nS，10V栅压下总栅极电荷典型值仅32.3nC，可大幅降低开关驱动损耗。其内置体二极管的正向压降最大值为1.2V，反向恢复时间最高为27nS，反向恢复电荷最高为20nC，能够显著减少续流过程中的反向恢复损耗，适配高频硬开关的工作场景。所有脉冲类测试均严格遵循脉宽不超过300μs、占空比不高于2%的规范条件标定，保障所有参数的参考严谨性。

该款器件的适配场景可精准覆盖三类典型功率工况，首先是通用功率开关应用场景，可在低压配电回路中作为核心通断元件承载大电流切换操作；其次是硬开关高频电路，依托极低的开关损耗特性提升高频拓扑的整体转换效率，降低高频运行下的额外热损耗；最后是不间断电源设备，在UPS的功率转换链路中作为核心功率承载器件，保障充放电切换过程的运行可靠性，适配各类对功率器件一致性与抗雪崩能力要求较高的低压供电系统。

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