瑞斯特(RST) RST0115K是一款采用先进沟槽技术开发的N沟道增强型功率MOSFET，封装形式为TO-252-2L，耐压100V，连续漏极电流15A，在VGS=10V时典型导通电阻80mΩ，VGS=4.5V时典型值85mΩ。该器件最高结温175℃，单脉冲雪崩能量高达200mJ，具备较强的抗雪崩击穿能力，同时支持逻辑电平驱动，通过高密元胞结构优化了导通电阻与栅极电荷的折中关系，适用于中等功率硬开关及高频功率变换领域。
电气参数方面，RST0115K的漏源击穿电压BVDSS最小100V（典型110V），零栅压漏电流IDSS在VDS=100V时不超过1μA，栅体漏电流IGSS在±20V栅压下限制在±100nA。栅极阈值电压VGS(th)范围1.0V至2.5V（典型1.6V），较宽的低阈值区间使其在4.5V驱动下仍能保持接近10V驱动的导通电阻水平。动态参数上，输入电容CISS典型830pF、输出电容COSS 44.2pF、反向传输电容CRSS 30.1pF，总栅极电荷Qg仅22.3nC、栅漏电荷Qgd 6.14nC，开关延迟时间td(on) 15ns、td(off) 25ns、下降时间7ns，体现出较低的驱动损耗与较快的开关过渡特性。体二极管最大正向电流15A，正向压降上限1.2V。热阻RθJC为3℃/W，壳温25℃时最大耗散功率50W，具备较强的热处理能力。
典型曲线揭示了器件的温度与负载特性：输出特性曲线表明VGS≥4V时器件进入低阻导通区，10V栅压下饱和电流裕量充足；转移特性曲线显示125℃时阈值电压较25℃明显下移，高温下更易导通但关断裕量减小；RDS(on)随漏极电流增大呈缓慢上升趋势，在10A额定电流附近10V与4.5V驱动的电阻曲线接近平行；归一化导通电阻随结温升高而增大，175℃时约为25℃基准值的2.4倍，高温设计需重点考虑导通损耗增长。BVDSS随结温升高而增大，VGS(th)则随温度升高而降低，两者呈相反温度系数。安全操作区(SOA)在DC工况受导通电阻限制，窄脉冲（10μs）可承受接近60A的峰值电流与100V电压应力。
应用场景上，RST0115K定位于功率开关应用及硬开关高频电路。100V耐压适配48V通信总线、工业控制电源及电池管理系统中的功率级设计，15A电流能力可满足数十瓦至百瓦级变换器的初级侧或次级侧开关需求。低Qg与快开关特性使其适合工作于数百kHz开关频率的拓扑，如反激、正激或Buck/Boost变换器，有助于减小磁性元件体积。4.5V逻辑电平兼容的驱动特性便于直接由3.3V/5V MCU或专用栅极驱动器控制，简化驱动电路设计。TO-252-2L封装带大面积散热焊盘，配合3℃/W的低结壳热阻，可通过PCB铜箔或外加散热器实现有效热管理，适用于空间受限但对散热有要求的工业电源、LED驱动及电机驱动等场景。设计时需依据实际壳温与占空比，结合瞬态热阻抗曲线评估峰值功率下的结温安全裕量。
