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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST)RST05R5E0R22DARA0BHM 5.5V 0.22F超级电容技术解析与应用

型号: RST05R5E0R22DARA0BHM
品牌: (瑞斯特)

--- 产品详情 ---

瑞斯特(RST) RST05R5E0R22DARA0BHM是一款额定电压5.5V、标称容量0.22F的小型电化学双层电容器(EDLC),采用10mm×5mm×12mm紧凑型封装,重量仅0.91g。该产品采用导针两端引出结构(DA代码),塑料热缩封装(R代码),适用于空板焊接(A代码),工作温度范围为-40℃至+65℃,容量偏差为0%~+300%,在1kHz测试频率下交流内阻(RAC)为1400mΩ,直流内阻(RDC)为3500mΩ。其额定电流为0.105A,最大峰值电流可达0.342A,最大储存能量为0.92×10⁻³Wh,能量密度约1.016Wh/kg,功率密度约1.14kW/kg,最大漏电流在25℃恒压72小时后不超过0.002mA。这些参数表明该产品在微型化与基础储能性能之间取得了平衡,适合对体积和成本敏感、但对能量密度要求不高的应用场景。

从电化学特性来看,该超级电容的容量测试采用恒流充放电法:以4×C×UR(即4.84mA)的电流放电,测量电压从0.8×UR(4.4V)降至0.4×UR(2.2V)的时间差来计算实际容量。等效串联电阻(ESR)则通过1kHz、1mA~10mA交流条件下的电压电流比值测得。寿命方面,产品在25℃额定电压下可稳定工作10年,经历50万次充放电循环后容量衰减不超过初始值的30%,内阻增长不超过初始值的4倍;在额定温度上限(65℃)无负荷贮存或施加额定电压1000小时后,性能衰减同样控制在上述范围内。湿热测试(40℃、90~95%RH、240小时)后的容量衰减不超过30%,内阻增长不超过2倍,未充电状态下的建议保存期限为4年(25℃)。这些可靠性指标体现了该产品在常规工业环境中的稳定性。

在结构设计上,该产品外形尺寸为W=10.0±1.0mm、D=5.0±1.0mm、L=12.0±1.5mm,引脚直径φd=0.5±0.05mm,引脚间距P=7.3±0.5mm,负极通过壳体底部标识区分。这种轴向引脚布局便于通孔插装(THT),适用于单面或双面PCB,但需注意焊接时避免壳体接触焊盘导致穿线孔渗锡,同时应避免高温长时间焊接造成内部电解液分解。产品具有固定极性,严禁反接;串联使用时必须考虑单体电压均衡问题,防止个别单体过压损坏。此外,该产品不适合高频快速充放电场景,因为高频循环会导致内部发热、容量衰减和内阻增加,极端情况下可能引发性能崩溃。

基于上述技术特性,RST05R5E0R22DARA0BHM的典型应用场景包括:一是实时时钟(RTC)后备电源,利用其低自放电和宽温特性,在主电源断开时为时钟芯片提供数天至数周的保持时间;二是低功耗IoT设备的短时能量缓冲,如传感器节点在突发传输前快速蓄能;三是小型电子产品的掉电数据保护,为EEPROM或Flash写入提供毫秒级续电;四是智能电表、水表、燃气表等计量设备的时钟与数据保持电路;五是玩具、遥控器、LED手电筒等消费级产品的瞬时功率补充。在这些场景中,该产品凭借5.5V额定电压可直接匹配常见逻辑电路供电需求,0.22F容量足以支撑微安级负载的短时供电,而10×5×12mm的体积便于嵌入紧凑型设备内部。

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