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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) RST3R0V106DS1025HSD 3.0V/10F超级电容技术解析

型号: RST3R0V106DS1025HSD
品牌: (瑞斯特)

--- 产品详情 ---

瑞斯特(RST) RST3R0V106DS1025HSD是一款额定电压3.0V、标称容量10F的圆柱形导针型双层超级电容(EDLC),采用HSD系列标准封装,外形尺寸为φ10.0mm×25.0mm(外径10mm、高度25mm),引脚间距5.0mm,引脚直径0.6mm。该器件容量偏差范围为-10%~+30%,工作温度范围-40°C至+65°C,最大等效串联电阻RAC≤40mΩ(1kHz测试),直流内阻RDC≤80mΩ,72小时最大漏电流0.035mA,额定电流2.59A(25°C),最大峰值电流8.3A(Δt=1s),最大储存能量0.0125Wh,能量密度4.46Wh/kg,功率密度4.82kW/kg,产品典型重量2.8g。该器件在3.0V高电压平台下实现了10F大容量,兼具低内阻、高功率密度与优异的循环寿命,是瑞斯特HSD系列中容量与性能均衡的中大型超级电容产品,适用于需要中大容量储能、高功率脉冲输出和长寿命保障的电子设备。

从电气特性来看,RST3R0V106DS1025HSD的容量测试采用标准恒流充放电法:以4×C×UR的电流充电至额定电压后恒压30分钟,再以相同电流放电,测量0.8UR至0.4UR区间的放电时间计算容量。等效串联电阻RAC通过1kHz交流阻抗法测量,交流电流1mA~10mA,40mΩ的上限值相比3.0V/1F型号的180mΩ降低了78%,体现了更大电极面积与更优化的结构设计带来的显著内阻优势。直流内阻RDC≤80mΩ,在10F容量级别中属于较低水平,有效减少了充放电过程中的欧姆损耗。漏电流指标要求充电至额定电压后恒压72小时测量,0.035mA的漏电流在10F容量级别中控制良好。峰值电流计算公式I=C·U/[2(Δt+ESRDC·C)]考虑了电容储能与内阻压降的综合影响,1秒脉冲条件下可达8.3A,是3.0V/1F型号的10倍。能量密度4.46Wh/kg和功率密度4.82kW/kg相比3.0V/1F型号分别提升了225%和225%,体现了容量规模化带来的显著性能增益。3.0V额定电压相比传统2.7V平台提升了11%,在储能公式E=0.5×C×U²中使能量密度进一步增大,同时更适配3V供电系统而无需额外降压电路。

该器件的寿命特性与可靠性表现优异。循环寿命方面,在25°C条件下以恒定电流在额定电压与半额定电压间循环充放电50万次后,容量衰减不超过初始值的30%,内阻增长不超过初始值的2倍,相比3.0V/1F型号的4倍限值更为严格,表明瑞斯特在大容量产品上采用了更可靠的工艺控制。耐久性方面,在额定温度上限(+65°C)无负荷贮存1000小时,或在额定电压下施加额定电压1000小时后,容量与内阻变化同样满足上述限值。寿命测试表明在+25°C额定电压条件下使用10年后,容量衰减不超过初始值的30%,内阻增长不超过初始值的3倍。温度特性测试覆盖-40°C、+25°C、+65°C三个温度点,容量变化不超过初始值的30%,内阻不超过初始值的3倍。湿热特性方面,在+40±2°C、90%~95%RH条件下贮存240小时后,容量变化不超过初始值的30%,内阻不超过初始值的2倍。这些指标表明该器件在宽温域与恶劣环境下具有良好的稳定性,但需注意10F大容量意味着更高的储能密度,过压或短路时的能量释放风险显著增加,设计时必须加强过压保护、过流保护与热管理。

RST3R0V106DS1025HSD的典型应用场景涵盖四大领域:一是智能计量与工业物联网网关,在智能电表、水表、气表及工业物联网网关中作为主电源掉电后的备用电源,10F容量可支撑RTC、RAM数据保持及多次数据上传操作,2.59A额定电流满足通信模块的突发功耗需求,3.0V电压与系统电压直接匹配;二是便携式医疗设备与仪器,在血糖仪、血氧仪、便携式心电图仪等电池供电设备中作为主电源或脉冲负载缓冲,8.3A峰值电流支持电机驱动、显示屏背光、无线通信等大电流瞬时需求,50万次循环寿命远超电池更换周期;三是小型电机与执行机构驱动,在微型直流电机、电磁阀、继电器驱动电路中作为储能元件,为启动瞬间提供大电流并抑制反电动势,80mΩ低内阻减少了能量损耗与发热;四是能量采集与微电网系统,在太阳能、振动能、热能采集节点中作为能量缓冲池,快速吸收瞬态采集能量并在需要时稳定输出,10F容量可支撑数分钟至数小时的无采集工作周期,4.82kW/kg高功率密度支持快速充放电。使用时需严格遵守极性要求,避免过压、高频充放电及潮湿有毒环境,串联使用时需考虑单体电压均衡问题,焊接时控制温度避免过热损伤。

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