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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) RST105E 100V N沟道功率MOSFET技术解析与应用场景

型号: RST105E
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

瑞斯特(RST) RST105E是一款采用TO-220-3L通孔插装封装的100V N沟道功率MOSFET,专为高电压、大电流及高效率功率转换应用设计。该器件具备100V的漏源击穿电压(V(BR)DSS),在栅源电压VGS=10V、漏极电流ID=20A条件下,静态导通电阻RDS(ON)典型值仅为4.5mΩ,最大值为5.3mΩ,栅极阈值电压VGS(th)典型值为3.0V,范围覆盖2.0V至4.0V,栅源耐压达±20V。连续漏极电流在壳温25℃时高达135A,100℃时仍保持85A,脉冲漏极电流可达540A,单脉冲雪崩能量EAS为486mJ,总功耗在25℃时达178W,100℃时为71W,结到壳热阻RθJC典型值仅为0.70℃/W,最大值0.80℃/W,工作结温与存储温度范围覆盖-55℃至+150℃。该器件100%通过UIS(非钳位感性开关)及Rg测试,采用无铅镀层与无卤素工艺,符合RoHS环保标准,展现出高可靠性与坚固性。

在动态特性方面,RST105E表现出优异的开关性能与低栅极电荷特性。总栅极电荷Qg在VGS=10V时典型值为69nC,VGS=6.0V时为44nC,栅源电荷Qgs为24nC,栅漏电荷Qgd为18.5nC,输入电容Ciss为4102pF,输出电容Coss为592pF,反向传输电容Crss为19.8pF,栅极电阻Rg为1.6Ω。在VGS=10V、VDS=50V、RL=2.5Ω、RGEN=3Ω的测试条件下,开启延迟时间tD(on)为18.0ns,上升时间tr为23ns,关断延迟时间tD(off)为37ns,下降时间tf为15.7ns,整体开关速度较快。体二极管正向压降VSD在IS=1A时典型值为0.66V,最大值为1.0V,反向恢复时间trr在IF=20A、di/dt=100A/μs条件下为64ns,反向恢复电荷Qrr为126nC,适用于需要快速反向恢复的续流应用。从典型特性曲线可见,导通电阻随结温升高呈正温度系数特性,25℃至150℃范围内归一化导通电阻约增长至1.8倍,设计时需预留温度裕量;击穿电压随温度升高而增大,具备正温度系数,增强了高温下的电压裕量。

该产品典型应用场景集中于电机驱动、电源转换及工业自动化领域。在电动工具、电动自行车及机器人电机驱动中,RST105E可作为三相逆变器的主功率开关,100V耐压可承受电机反电动势及再生制动时的电压尖峰,4.5mΩ的超低导通电阻在135A大电流下显著降低导通损耗,540A脉冲电流能力可应对电机启动时的浪涌冲击,486mJ雪崩能量确保在异常关断时具备足够的能量吸收能力。在DC-DC与AC-DC电源子系统的同步整流中,该器件可作为次级侧整流管使用,其低导通电阻与快速开关特性有助于提升转换效率并降低散热需求,适用于通信电源、服务器电源及工业电源模块。在消费电子与工业自动化功率管理中,TO-220-3L封装配合0.70℃/W的低结到壳热阻,便于通过散热器实现高效热管理,满足大功率应用的散热需求。

综合来看,瑞斯特(RST) RST105E凭借100V耐压、4.5mΩ超低导通电阻、135A大电流能力及优异的开关特性,成为中高电压等级大功率电机驱动与电源转换应用的理想功率器件。其100% UIS测试与Rg测试确保了在感性负载切换及高频开关环境下的鲁棒性,无铅无卤素的环保属性符合现代电子产品的绿色制造要求。在电动工具、电动车、机器人、通信电源及工业自动化等领域,RST105E可作为逆变器开关、同步整流管及功率管理开关,为设计人员提供兼顾高效率、高功率密度与可靠性的功率解决方案。

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