瑞斯特(RST) RSTN6067A1 REVA是一款采用DFN5×6C-8_EP2封装的N沟道+P沟道双增强型MOSFET器件，单芯片内集成了一对互补功率管，适用于60V电压等级的功率开关应用。N沟道部分耐压60V，连续漏极电流35A（TC=25°C），导通电阻典型值12mΩ（VGS=10V）、15mΩ（VGS=4.5V），最大值分别为16mΩ和20mΩ；P沟道部分耐压-60V，连续漏极电流-30A（TC=25°C），导通电阻典型值28mΩ（VGS=-10V）、38mΩ（VGS=-4.5V），最大值分别为36mΩ和48mΩ。器件栅源耐压均为±20V，最大结温150°C，热阻RθJC（稳态）为6.6°C/W，RθJA在1in²焊盘面积下稳态值为75°C/W。最大耗散功率TC=25°C时N沟道与P沟道均为18.9W，TC=100°C时降至7.6W。脉冲漏极电流N沟道达105A、P沟道达-90A，单脉冲雪崩电流IAS=10A（L=0.5mH），单脉冲雪崩能量EAS=25mJ，并通过100% UIS+Rg测试，具备可靠的雪崩耐受能力。
从动态特性分析，N沟道器件在VDD=20V、ID=1A、RG=6Ω测试条件下，开通延迟时间td(on)典型值11.5ns、上升时间tr 8ns，关断延迟时间td(off) 23ns、下降时间tf 5.5ns，总栅极电荷Qg在VGS=10V、ID=11.5A时为13.6nC（最大值19nC），其中栅源电荷Qgs 2.5nC、栅漏电荷Qgd 2.8nC；VGS=4.5V时Qg典型值6.7nC。输入电容Ciss 1990pF（VDS=20V、1MHz），输出电容Coss 140pF，反向传输电容Crss 120pF，栅极电阻RG典型值2Ω。P沟道器件在对应条件下td(on) 10ns、tr 10ns、td(off) 33ns、tf 18ns，Qg在VGS=-10V时典型值13.5nC（最大值18.9nC），Ciss 4068pF，Coss 135pF，Crss 100pF，RG典型值8Ω。N沟道低栅极电荷配合低栅极电阻，使得驱动损耗较小；P沟道虽然Ciss较大，但Qg控制较好，整体开关特性满足中频应用需求。器件采用沟槽（Trench）DMOS工艺，寄生体二极管反向恢复时间N沟道为15ns、P沟道为16ns，反向恢复电荷均为10nC，体二极管正向压降典型值0.8V，适合同步整流等对反向恢复特性有要求的场景。
热性能与安全工作区方面，N沟道与P沟道的功率耗散均随壳温线性降额，从TC=25°C时的约19W降至TC=150°C时的0W。安全工作区（SOA）曲线显示，在TC=25°C条件下，N沟道DC工作电流在VDS≤1V时约12A，受RDS(on)限制；在VDS=10V时DC电流降至约3A，100μs脉冲条件下可达约30A。P沟道SOA特性与N沟道类似，DC电流在VDS≤1V时约12A，100μs脉冲下约25A。热瞬态阻抗曲线提供了不同占空比（0.01~0.5）及单脉冲条件下的归一化热阻数据，便于工程师进行瞬态热设计评估。输出特性曲线表明，N沟道在VGS≥4V时进入强导通区，P沟道在VGS≤-5V时进入强导通区；导通电阻随结温升高而增大，N沟道在VGS=10V、ID=11.5A条件下，Tj=150°C时归一化RDS(on)约为Tj=25°C时的1.75倍，呈现典型的正温度系数特性，有利于并联均流。栅极-源极导通电阻曲线显示，N沟道在ID=11.5A条件下，VGS从3V升至10V时RDS(on)从约45mΩ降至约12mΩ，VGS≥6V后变化趋于平缓；P沟道在ID=-8.8A条件下，VGS从-4V升至-10V时RDS(on)从约140mΩ降至约28mΩ。
该器件主要面向风扇预驱动H桥、电机控制及同步整流三大应用方向。在风扇预驱动H桥应用中，单片集成的N+P互补结构可直接构成半桥或全桥拓扑，驱动直流无刷风扇实现正反转与调速，60V耐压可覆盖48V工业风扇及24V汽车风扇系统，DFN5×6C-8_EP2封装底部带裸露散热焊盘，有利于降低热阻、提升驱动电流能力。电机控制领域，该器件适用于中小功率直流电机驱动，N沟道35A与P沟道30A的电流能力可满足多数步进电机与直流有刷电机的驱动需求，低导通电阻有效降低导通损耗，快速开关特性减少换向损耗。同步整流应用中，N沟道器件可作为Buck/Boost变换器的下管续流开关，P沟道器件可用于高边开关，其低反向恢复电荷特性有助于降低体二极管反向恢复引起的EMI与损耗。此外，该器件符合RoHS标准，潮湿敏感度等级MSL1，适用于对环保与可靠性有要求的工业及消费电子系统。DFN5×6C-8_EP2封装尺寸约为5mm×6mm，推荐PCB焊盘布局已给出，底部裸露散热焊盘需通过过孔与大面积铜箔连接以优化散热路径，满足紧凑空间下的功率密度需求。
