瑞斯特(RST) RSTN4013A1 REVA是一款采用PDFN5×6-8L封装的N沟道+P沟道双增强型MOSFET器件，单芯片内集成了一对互补功率管。N沟道部分耐压40V，连续漏极电流35A（TC=25°C），导通电阻典型值14mΩ（VGS=10V）、18mΩ（VGS=4.5V）；P沟道部分耐压-40V，连续漏极电流-32A（TC=25°C），导通电阻典型值17mΩ（VGS=-10V）、19mΩ（VGS=-4.5V）。器件栅源耐压均为±20V，最大结温150°C，热阻RθJC为9°C/W，最大耗散功率TC=25°C时N沟道与P沟道均为13.9W。脉冲漏极电流N沟道达60A、P沟道达-60A，单脉冲雪崩能量分别为25mJ（L=0.5mH）和30mJ（L=0.5mH），并通过100% UIS+Rg测试，具备良好的雪崩耐受能力。
从动态特性角度分析，N沟道器件在VDD=20V、ID=1A、RG=6Ω测试条件下，开通延迟时间td(on)典型值10ns、上升时间tr 7.5ns，关断延迟时间td(off) 23ns、下降时间tf 5.5ns，总栅极电荷Qg在VGS=10V、ID=8A时为14nC，其中栅源电荷Qgs 2.5nC、栅漏电荷Qgd 2.9nC，输入电容Ciss 790pF。P沟道器件在对应条件下td(on) 9ns、tr 7ns、td(off) 31ns、tf 17ns，Qg在VGS=-10V时典型值14nC，Ciss 668pF。N沟道与P沟道均表现出较低的栅极电荷与较快的开关速度，有利于降低高频应用中的驱动损耗与开关损耗。器件采用先进的沟槽（Trench）DMOS工艺，通过高单元密度设计实现了低导通电阻与低栅极电荷的优良乘积（FOM），寄生体二极管反向恢复时间N沟道为14.5ns、P沟道为16ns，反向恢复电荷分别为9nC和11nC，适合同步整流等对反向恢复特性有要求的场景。
热性能与安全工作区方面，N沟道与P沟道的功率耗散均随壳温线性降额，从TC=25°C时的约14W降至TC=150°C时的0W。安全工作区（SOA）曲线显示，在TC=25°C条件下，N沟道DC工作电流在VDS≤1V时约10A，受RDS(on)限制；在VDS=10V时DC电流降至约3A，100μs脉冲条件下可达约30A。P沟道SOA特性与N沟道类似，DC电流在VDS≤1V时约10A，100μs脉冲下约25A。热瞬态阻抗曲线提供了不同占空比（0.01~0.5）及单脉冲条件下的归一化热阻数据，便于工程师进行瞬态热设计评估。输出特性曲线表明，N沟道在VGS≥4V时进入强导通区，P沟道在VGS≤-4V时进入强导通区；导通电阻随结温升高而增大，N沟道在VGS=10V、ID=8A条件下，Tj=150°C时归一化RDS(on)约为Tj=25°C时的1.6倍。
RSTN4013A1 REVA主要面向风扇预驱动H桥、电机控制及同步整流三大应用方向。在风扇预驱动H桥应用中，单片集成的N+P互补结构可直接构成半桥或全桥拓扑，驱动直流无刷风扇实现正反转与调速，PDFN5×6-8L封装具有较大的散热焊盘面积，有利于降低热阻、提升驱动电流能力。电机控制领域，该器件适用于中小功率直流电机驱动，40V耐压可覆盖12V~24V电机系统，低导通电阻有效降低导通损耗，快速开关特性减少换向损耗。同步整流应用中，N沟道器件可作为Buck/Boost变换器的下管续流开关，P沟道器件可用于高边开关，其低反向恢复电荷特性有助于降低体二极管反向恢复引起的EMI与损耗。此外，该器件符合RoHS标准，潮湿敏感度等级MSL1，适用于对环保与可靠性有要求的工业及消费电子系统。PDFN5×6-8L封装尺寸约为5mm×6mm，推荐PCB焊盘布局已给出，底部裸露散热焊盘（EP）需通过过孔与大面积铜箔连接以优化散热路径，满足紧凑空间下的功率密度需求。
