瑞斯特(RST) RSTN100P35A1 RevA是一款采用DFN5×6-8_EP封装的P沟道增强型功率MOSFET，额定耐压-100V，漏源击穿电压BVDSS最小值-100V，栅源耐压±25V，最大结温150°C。该器件在TC=25°C时连续漏极电流ID为-40A，TC=100°C时降至-16A；脉冲漏极电流IDM可达-120A（TC=25°C）。导通电阻方面，VGS=-10V、IDS=-18A时典型值35mΩ、最大值44mΩ，VGS=-4.5V、IDS=-10A时典型值39mΩ、最大值48mΩ。栅极阈值电压VGS(th)范围-1V~-3V、典型值-2V，具备宽驱动电压兼容性。热特性方面，结到壳热阻RθJC稳态值1.3°C/W，结到环境热阻RθJA稳态值60°C/W（安装于1平方英寸焊盘）。最大耗散功率TC=25°C时96W，TC=100°C时38W；环境温度TA=25°C时2.08W，TA=70°C时1.33W。动态特性上，输入电容Ciss典型值2467pF（VDS=-30V, 1MHz），输出电容Coss典型值268pF，反向传输电容Crss典型值126pF；开关时间td(on)=17ns、tr=9ns、td(off)=83ns、tf=34ns（VDD=-30V, RL=30Ω, IDS=-1A, VGEN=-10V, RG=6Ω）。栅极电荷特性方面，VGS=-10V、IDS=-18A时总栅极电荷Qg典型值56nC、最大值78nC，VGS=-4.5V时典型值27nC，栅源电荷Qgs典型值9.5nC，栅漏电荷Qgd典型值14.5nC，栅极电阻RG典型值3.4Ω、最大值6.8Ω。体二极管正向压降VSD典型值-0.8V（ISD=-18A），反向恢复时间trr典型值46ns，反向恢复电荷Qrr典型值103nC。雪崩能力方面，单脉冲雪崩电流IAS=-34A（L=0.1mH），单脉冲雪崩能量EAS=58mJ，100%通过UIS测试。温度特性曲线显示，RDS(ON)在150°C时约为25°C时的2.0倍（归一化值从0.55升至约1.1），栅极阈值电压随温度升高呈负温度系数下降，150°C时约为25°C时的0.6倍。
在电路设计应用中，RSTN100P35A1 RevA适用于工业DC-DC变换器的电源管理。其35mΩ级别的导通电阻在18A电流下导通损耗约11.3W，配合1.3°C/W的结到壳热阻，在合理散热条件下可支持中高功率变换。该器件的-100V耐压覆盖48V/72V负电压母线系统的电压应力需求，40A连续电流能力支持工业级功率模块设计。P沟道特性使其在高端开关应用中可直接由负电压驱动，简化栅极驱动电路设计，适用于Buck-Boost变换器的高端臂、全桥/半桥拓扑的P沟道侧开关等。DFN5×6-8_EP封装采用底部裸露焊盘作为漏极散热面，引脚1~3为源极、引脚4为栅极、引脚5~8为漏极，多源极与漏极引脚设计降低封装寄生电感，推荐PCB焊盘设计漏极散热区域不小于4.6mm×6.1mm，引脚间距1.27mm/0.5mm，便于高密度SMT布局。在工业电机控制与负载开关应用中，-100V耐压可应对电机反电动势与感性负载关断过压，120A脉冲电流能力支持电机启动电流与堵转保护，58mJ的单脉冲雪崩能量提供一定的抗瞬态过压能力。设计时需注意：P沟道器件的开关速度相对较慢（td(off)=83ns, tf=34ns），在高频应用中需评估开关损耗；Qrr达103nC，在同步整流应用中需关注反向恢复损耗；高温环境下需严格按功率降额曲线修正（结温每升高1°C，最大耗散功率约降低0.64W）；脉冲工作需参考安全工作区（SOA）曲线；栅极驱动回路应尽可能短以降低开关振荡与电压过冲；±25V的栅源耐压提供较大的设计裕量，但仍建议驱动电压不超过±20V以确保长期可靠性。
